onsemi

onsemi System Basis Chip NCV7428D15R2G, 8 broches SOIC onsemi System Basis Chip NCV7428D15R2G, 8 broches SOIC, Tension de sortie minimum: 4,9 V, Tension de sortie maximum: 5,1 V, Tension d'entrée minimale: 5,5 V, Tension d'entrée maximale: 28 V, Courant de sortie minimum: 1.8mA, Courant de sortie maximum: 70mA, Type de montage: CMS, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Standard automobile: AEC-Q100, Dimensions: 4.98 x 3.99 x 15.49mm Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Gestion de l'alimentation > Convertisseurs DC-DC onsemi

onsemi Système sur puce (SoC), AXM0F243-1-TX40, pour Communication sans fil, ARM Cortex M0 32 bits, QFN, 40 broches onsemi Système sur puce (SoC), pour Communication sans fil, ARM Cortex M0 32 bits, QFN, 40 broches, Unité de process: Microcontrôleur, Type de montage: CMS, Dimensions: 7 x 5 x 0.95mm, Longueur: 7mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: AXM0F243-1-TX40 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce (SoC), LC823455XATBG, pour Audio sans fil, 32 bit ARM Cortex M3, WLCSP120, 120 broches onsemi Système sur puce (SoC), pour Audio sans fil, 32 bit ARM Cortex M3, WLCSP120, 120 broches, Unité de process: Microcontrôleur audio sans fil, Type de montage: CMS, MPN: LC823455XATBG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce (SoC), NCH-RSL10-101S51-ACG, pour Communication sans fil, Bluetooth, SIP, 51 broches onsemi Système sur puce (SoC), pour Communication sans fil, Bluetooth, SIP, 51 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 8.1 x 6.1 x 1.27mm, Longueur: 8.1mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,3 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,1 V, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 6.1mm, MPN: NCH-RSL10-101S51-ACG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce (SoC), NCH-RSL10-101S51-ACG, pour Communication sans fil, Bluetooth, SIP, 51 broches onsemi Système sur puce (SoC), pour Communication sans fil, Bluetooth, SIP, 51 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 8.1 x 6.1 x 1.27mm, Longueur: 8.1mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,3 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,1 V, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 6.1mm, MPN: NCH-RSL10-101S51-ACG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce (SoC), NCH-RSL10-101S51-ACG, pour Communication sans fil, Bluetooth, SIP, 51 broches onsemi Système sur puce (SoC), pour Communication sans fil, Bluetooth, SIP, 51 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 8.1 x 6.1 x 1.27mm, Longueur: 8.1mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,3 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,1 V, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 6.1mm, MPN: NCH-RSL10-101S51-ACG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce (SoC), RSL10-SIP-001GEVB, pour Bluetooth, Bluetooth onsemi Système sur puce (SoC), pour Bluetooth, Bluetooth, MPN: RSL10-SIP-001GEVB Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce, AXM0F343-256-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN onsemi Système sur puce, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN, Unité de process: Microcontrôleur, Type de montage: CMS, MPN: AXM0F343-256-1-TX40 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce, AXM0F343-256-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN onsemi Système sur puce, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN, MPN: AXM0F343-256-1-TX40 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce, AXM0F343-256-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN onsemi Système sur puce, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN, Unité de process: Microcontrôleur, Type de montage: CMS, MPN: AXM0F343-256-1-TX40 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce, AXM0F343-64-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN onsemi Système sur puce, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN, Unité de process: Microcontrôleur, Type de montage: CMS, MPN: AXM0F343-64-1-TX40 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce, AXM0F343-64-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN onsemi Système sur puce, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN, Unité de process: Microcontrôleur, Type de montage: CMS, MPN: AXM0F343-64-1-TX40 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Système sur puce, AXM0F343-64-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN onsemi Système sur puce, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN, MPN: AXM0F343-64-1-TX40 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Microcontrôleurs et Processeurs > Systèmes sur circuit onsemi

onsemi Tension d'isolement,, FSA832L10X, MicroPak, 10 broches onsemi Tension d'isolement,, MicroPak, 10 broches, Résistance RDS(on) de commutation: 6Ω, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 6 V, Type de montage: CMS, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Dimensions: 2.1 x 1.6 x 0.5mm, Tension d'entrée minimale: 4 V, MPN: FSA832L10X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Gestion de l'alimentation > CI d'interrupteur marche,arrêt onsemi

onsemi Tension d'isolement,, FSA832L10X, MicroPak, 10 broches onsemi Tension d'isolement,, MicroPak, 10 broches, Résistance RDSon de commutation: 6Ω, Type de montage: CMS, Dimensions: 2.1 x 1.6 x 0.5mm, Longueur: 2.1mm, Largeur: 1.6mm, Tension d'entrée maximale: 6 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'entrée minimale: 4 V, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: FSA832L10X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Gestion de l'alimentation > CI d'interrupteur marche,arrêt onsemi

onsemi Tension d'isolement,, FSA832L10X, MicroPak, 10 broches onsemi Tension d'isolement,, MicroPak, 10 broches, Résistance RDS(on) de commutation: 6Ω, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 6 V, Type de montage: CMS, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Dimensions: 2.1 x 1.6 x 0.5mm, Tension d'entrée minimale: 4 V, MPN: FSA832L10X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Gestion de l'alimentation > CI d'interrupteur marche,arrêt onsemi

onsemi Terminaison de bus CAN, NUF2221W1G, 2bit-Bits SC-88, 6 broches onsemi Terminaison de bus CAN, NUF2221W1G, 2bit-Bits SC-88, 6 broches, Type de raccordement: Terminaison de ligne USB, Résistance typique: 1.5 kΩ, 22 Ω, Courant d'alimentation maximum: 10 nA, Type de montage: CMS, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Largeur: 1.35mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,25 V, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: NUF2221W1T2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > Terminaisons de bus onsemi

onsemi Terminaison de bus CAN, NUF2221W1G, 2bit-Bits SC-88, 6 broches onsemi Terminaison de bus CAN, NUF2221W1G, 2bit-Bits SC-88, 6 broches, Type de raccordement: Terminaison de ligne USB, Résistance typique: 1.5 kΩ, 22 Ω, Courant d'alimentation maximum: 10 nA, Type de montage: CMS, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Largeur: 1.35mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,25 V, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: NUF2221W1T2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > Terminaisons de bus onsemi

onsemi Terminaison de bus CAN, NUF2221W1G, 2bit-Bits SC-88, 6 broches onsemi Terminaison de bus CAN, NUF2221W1G, 2bit-Bits SC-88, 6 broches, Type de raccordement: Terminaison de ligne USB, Résistance typique: 1.5 kΩ, 22 Ω, Courant d'alimentation maximum: 10 nA, Type de montage: CMS, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Largeur: 1.35mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,25 V, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: NUF2221W1T2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > Terminaisons de bus onsemi

onsemi Terminaison de bus SCSI, STF202-22T1G, TSOP, 6 broches onsemi Terminaison de bus SCSI, TSOP, 6 broches, Type de raccordement: Terminaison de ligne USB, Résistance typique: 1.5 (Pull-Up) kΩ, 22 (Series) kΩ, Courant d'alimentation maximum: 5 μA, Type de montage: CMS, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1mm, Longueur: 3.1mm, Largeur: 1.7mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,25 V, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: STF202-22T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > Terminaisons de bus onsemi

onsemi Terminaison de bus SCSI, STF202-22T1G, TSOP, 6 broches onsemi Terminaison de bus SCSI, TSOP, 6 broches, Type de raccordement: Terminaison de ligne USB, Résistance typique: 1.5 (Pull-Up) kΩ, 22 (Series) kΩ, Courant d'alimentation maximum: 5 μA, Type de montage: CMS, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1mm, Longueur: 3.1mm, Largeur: 1.7mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,25 V, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: STF202-22T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > Terminaisons de bus onsemi

onsemi Terminaison de bus SCSI, STF202-22T1G, TSOP, 6 broches onsemi Terminaison de bus SCSI, TSOP, 6 broches, Type de raccordement: Terminaison de ligne USB, Résistance typique: 1.5 (Pull-Up) kΩ, 22 (Series) kΩ, Courant d'alimentation maximum: 5 μA, Type de montage: CMS, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1mm, Longueur: 3.1mm, Largeur: 1.7mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,25 V, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: STF202-22T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > Terminaisons de bus onsemi

onsemi TinyLogic UHS, Buffer, 1 bits 3 états, SOT-23 5 broches onsemi TinyLogic UHS, Buffer, 1 bits 3 états, SOT-23 5 broches, Type de CI: Buffer & Line Driver, Type d'entrée: Asymétrique, Type de montage: CMS, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 6ns, Dimensions: 3 x 1.7 x 1.3mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5.5 V, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1.65 V, MPN: NC7SZ126M5X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface de ligne onsemi

onsemi TinyLogic UHS, Buffer, 1 bits 3 états, SOT-23 5 broches onsemi TinyLogic UHS, Buffer, 1 bits 3 états, SOT-23 5 broches, Type d'entrée: Asymétrique, Type de montage: CMS, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 6ns, Dimensions: 3 x 1.7 x 1.3mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5.5 V, MPN: NC7SZ126M5X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface de ligne onsemi

onsemi TinyLogic UHS, Buffer, 1 bits 3 états, SOT-23 5 broches onsemi TinyLogic UHS, Buffer, 1 bits 3 états, SOT-23 5 broches, Type de CI: Buffer & Line Driver, Type d'entrée: Asymétrique, Type de montage: CMS, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 6ns, Dimensions: 3 x 1.7 x 1.3mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,65 V, MPN: NC7SZ126M5X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface de ligne onsemi

onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SC-70 5 broches onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SC-70 5 broches, Type de CI: Buffer & Line Driver, Type d'entrée: Asymétrique, Type de montage: CMS, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 5.7 ns @ 3.3 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 1mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, MPN: NC7SZ125P5X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface de ligne onsemi

onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SC-70 5 broches onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SC-70 5 broches, Type de CI: Buffer & Line Driver, Type d'entrée: Asymétrique, Type de montage: CMS, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 5.7 ns @ 3.3 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 1mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, MPN: NC7SZ125P5X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface de ligne onsemi

onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SC-70 5 broches onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SC-70 5 broches, Type d'entrée: Asymétrique, Type de montage: CMS, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 5.7 ns @ 3.3 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 1mm, Longueur: 2mm, MPN: NC7SZ125P5X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface de ligne onsemi

onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SOT-23 5 broches onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SOT-23 5 broches, Type d'entrée: Asymétrique, Type de montage: CMS, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 5.7 ns @ 3.3 V, Dimensions: 3 x 1.7 x 1.3mm, MPN: NC7SZ125M5X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface de ligne onsemi

onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SOT-23 5 broches onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SOT-23 5 broches, Type de CI: Buffer & Line Driver, Type d'entrée: Asymétrique, Type de montage: CMS, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 5.7 ns @ 3.3 V, Dimensions: 3 x 1.7 x 1.3mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, MPN: NC7SZ125M5X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface de ligne onsemi

onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SOT-23 5 broches onsemi TinyLogic UHS, Buffer, Driver de ligne, 1 bits 3 états, Sans inversion SOT-23 5 broches, Type de CI: Buffer & Line Driver, Type d'entrée: Asymétrique, Type de montage: CMS, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 5.7 ns @ 3.3 V, Dimensions: 3 x 1.7 x 1.3mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, MPN: NC7SZ125M5X Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface de ligne onsemi

onsemi Transceiver à interface tension 74LVXC, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches onsemi Transceiver à interface tension 74LVXC, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9ns, Dimensions: 7.8 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LVXC3245MTCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver à interface tension 74LVXC, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches onsemi Transceiver à interface tension 74LVXC, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9ns, Dimensions: 7.8 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LVXC3245MTCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver à interface tension 74LVXC, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches onsemi Transceiver à interface tension 74LVXC, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9ns, Dimensions: 7.8 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LVXC3245MTCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns@ 50 pF, Dimensions: 12.95 x 7.6 x 2.45mm, MPN: MC74ACT245DWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns@ 50 pF, Dimensions: 12.95 x 7.6 x 2.45mm, MPN: MC74ACT245DWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns@ 50 pF, Dimensions: 12.95 x 7.6 x 2.45mm, MPN: MC74AC245DWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns@ 50 pF, Dimensions: 12.95 x 7.6 x 2.45mm, MPN: MC74AC245DWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver ACT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver ACT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns @ 50 pF, Dimensions: 6.6 x 4.5 x 1.05mm, MPN: MC74ACT245DTG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver ACT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver ACT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns@ 50 pF, Dimensions: 6.6 x 4.5 x 1.05mm, MPN: MC74ACT245DTG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7343D20R2G-1, 5Mbps CAN, Veille, Attente, SOIC, 14 broches onsemi Transceiver CAN-1, 5Mbps CAN, Veille, Attente, SOIC, 14 broches, MPN: NCV7343D20R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7343D20R2G-1, 5Mbps CAN, Veille, Attente, SOIC, 14 broches onsemi Transceiver CAN-1, 5Mbps CAN, Veille, Attente, SOIC, 14 broches, Type de CI: CAN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 6,2 mA, MPN: NCV7343D20R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7343D20R2G-1, 5Mbps CAN, Veille, Attente, SOIC, 14 broches onsemi Transceiver CAN-1, 5Mbps CAN, Veille, Attente, SOIC, 14 broches, Type de CI: CAN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 6,2 mA, MPN: NCV7343D20R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7343MW0R2G, 1Mbps Veille, DFNW, 14 broches onsemi Transceiver CAN, 1Mbps Veille, DFNW, 14 broches, MPN: NCV7343MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7343MW0R2G, 1Mbps Veille, DFNW, 14 broches onsemi Transceiver CAN, 1Mbps Veille, DFNW, 14 broches, Type de CI: CAN Interface Ics, Courant d'alimentation maximum: 61 mA, MPN: NCV7343MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7343MW0R2G, 1Mbps Veille, DFNW, 14 broches onsemi Transceiver CAN, 1Mbps Veille, DFNW, 14 broches, Type de CI: CAN Interface Ics, Courant d'alimentation maximum: 61 mA, MPN: NCV7343MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7344MW0R2G, 5Mbps CAN, arrêt, DFNW, 8 broches onsemi Transceiver CAN, 5Mbps CAN, arrêt, DFNW, 8 broches, Nombre de transceivers: 1, Type de CI: CAN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 45 mA, MPN: NCV7344MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7344MW0R2G, 5Mbps CAN, arrêt, DFNW, 8 broches onsemi Transceiver CAN, 5Mbps CAN, arrêt, DFNW, 8 broches, MPN: NCV7344MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7344MW0R2G, 5Mbps CAN, arrêt, DFNW, 8 broches onsemi Transceiver CAN, 5Mbps CAN, arrêt, DFNW, 8 broches, Nombre de transceivers: 1, Type de CI: CAN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 45 mA, MPN: NCV7344MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7344MW3T1G, 1Mbps Veille, DFN, 8 broches onsemi Transceiver CAN, 1Mbps Veille, DFN, 8 broches, Type de CI: CAN Interface Ics, Courant d'alimentation maximum: 70 mA, MPN: NCV7344MW3T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7344MW3T1G, 1Mbps Veille, DFN, 8 broches onsemi Transceiver CAN, 1Mbps Veille, DFN, 8 broches, Type de CI: CAN Interface Ics, Courant d'alimentation maximum: 70 mA, MPN: NCV7344MW3T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7344MW3T1G, 1Mbps Veille, DFN, 8 broches onsemi Transceiver CAN, 1Mbps Veille, DFN, 8 broches, MPN: NCV7344MW3T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7356D1, 100kbps CAN 2.0, Arrêt, veille, SOIC, 8 broches onsemi Transceiver CAN, NCV7356D1, 100kbps CAN 2.0, Arrêt, veille, SOIC, 8 broches, Type de CI: CAN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 8 mA, Type de montage: CMS, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Largeur: 4mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 27 V, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NCV7356D1R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7356D1, 100kbps CAN 2.0, Arrêt, veille, SOIC, 8 broches onsemi Transceiver CAN, NCV7356D1, 100kbps CAN 2.0, Arrêt, veille, SOIC, 8 broches, Courant d'alimentation maximum: 8 mA, Type de montage: CMS, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Largeur: 4mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 27 V, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 5 V, MPN: NCV7356D1R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7356D1G, 100kbps CAN 2.0, Arrêt, veille, SOIC, 8 broches onsemi Transceiver CAN, NCV7356D1G, 100kbps CAN 2.0, Arrêt, veille, SOIC, 8 broches, Type de CI: CAN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 8 mA, Type de montage: CMS, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Largeur: 4mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 27 V, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NCV7356D1R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7381CDP0R2G, 10Mbps Normal, 16 SSOP, 16 broches onsemi Transceiver CAN, 10Mbps Normal, 16 SSOP, 16 broches, MPN: NCV7381CDP0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7381CDP0R2G, 10Mbps Normal, 16 SSOP, 16 broches onsemi Transceiver CAN, 10Mbps Normal, 16 SSOP, 16 broches, MPN: NCV7381CDP0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7381CDP0R2G, 10Mbps Normal, 16 SSOP, 16 broches onsemi Transceiver CAN, 10Mbps Normal, 16 SSOP, 16 broches, MPN: NCV7381CDP0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7446MW0R2G, 5Mbps ISO 11898-2, Normal, en veille, DFNW, 14 broches onsemi Transceiver CAN, 5Mbps ISO 11898-2, Normal, en veille, DFNW, 14 broches, Type de CI: CAN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 0,015 mA, 55 mA, MPN: NCV7446MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7446MW0R2G, 5Mbps ISO 11898-2, Normal, en veille, DFNW, 14 broches onsemi Transceiver CAN, 5Mbps ISO 11898-2, Normal, en veille, DFNW, 14 broches, Type de CI: CAN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 0,015 mA, 55 mA, MPN: NCV7446MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver CAN, NCV7446MW0R2G, 5Mbps ISO 11898-2, Normal, en veille, DFNW, 14 broches onsemi Transceiver CAN, 5Mbps ISO 11898-2, Normal, en veille, DFNW, 14 broches, MPN: NCV7446MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver de bus 74AC, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus 74AC, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -75mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9ns, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: 74AC245SCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus 74AC, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus 74AC, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -75mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9ns, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: 74AC245SCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus 74ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus 74ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -75mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9ns, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: 74ACT245SCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus 74ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus 74ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -75mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9ns, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: 74ACT245SCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus 74ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus 74ACT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -75mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9ns, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: 74ACT245SCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus 74HC, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus 74HC, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -35mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 135ns, Dimensions: 13.005 x 7.595 x 2.337mm, MPN: MM74HC245AWMX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus 74HC, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus 74HC, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -35mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 135ns, Dimensions: 13.005 x 7.595 x 2.337mm, MPN: MM74HC245AWMX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus 74HCT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus 74HCT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -35mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 45ns, Dimensions: 13.005 x 7.595 x 2.337mm, MPN: MM74HCT245WMX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus 74HCT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus 74HCT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -35mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 45ns, Dimensions: 13.005 x 7.595 x 2.337mm, MPN: MM74HCT245WMX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus 74HCT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus 74HCT, SOIC, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 18, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -35mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 45ns, Dimensions: 13.005 x 7.595 x 2.337mm, MPN: MM74HCT245WMX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus AC, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus AC, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8.5 ns @ 3.3 V, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: 74AC245SCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus AC, TSSOP, CMS, 16 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus AC, TSSOP, CMS, 16 bits, 20 broches, Polarité: Sans inversion, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns@ 50 pF, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 0.9mm, Longueur: 6.5mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 6 V, MPN: 74AC245MTC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus HC, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus HC, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -7.8mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 96 ns @ 2 V, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: MM74HC245AWMX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus HC, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus HC, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -7.8mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 96 ns @ 2 V, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: MM74HC245AWM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus HC, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus HC, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -7.8mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 96 ns @ 2 V, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: MM74HC245AWM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus HC, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus HC, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -7.8mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 96 ns @ 2 V, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: MM74HC245AWM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LCX, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LCX, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: LVTTL, TTL, Niveau de sortie: LVCMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8 ns @ 2.7 V, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: 74LCX245WMX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LCX, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LCX, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: LVTTL, TTL, Niveau de sortie: LVCMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8 ns @ 2.7 V, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: 74LCX245WMX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LCX, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LCX, SOIC W, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: LVTTL, TTL, Niveau de sortie: LVCMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8 ns @ 2.7 V, Dimensions: 13 x 7.6 x 2.35mm, MPN: 74LCX245WMX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LCX, SOIC, CMS, 16 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LCX, SOIC, CMS, 16 bits, 20 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: LVCMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8.4 ns @ 30 pF, Dimensions: 12.95 x 7.6 x 2.4mm, MPN: MC74LCX245DWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LCX, SOIC, CMS, 16 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LCX, SOIC, CMS, 16 bits, 20 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: LVCMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8.4 ns @ 30 pF, Dimensions: 12.95 x 7.6 x 2.4mm, MPN: MC74LCX245DWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LCX, TSSOP, CMS, 16 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LCX, TSSOP, CMS, 16 bits, 20 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: LVCMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8.4 ns @ 30 pF, Dimensions: 6.6 x 4.5 x 1.05mm, MPN: MC74LCX245DTG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LCX, TSSOP, CMS, 16 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LCX, TSSOP, CMS, 16 bits, 20 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: LVCMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8.4 ns @ 30 pF, Dimensions: 6.6 x 4.5 x 1.05mm, MPN: MC74LCX245DTG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: LVTTL, TTL, Niveau de sortie: LVCMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8 ns @ 2.7 V, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LCX245MTC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: LVTTL, TTL, Niveau de sortie: LVCMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8 ns @ 2.7 V, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LCX245MTC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: LVTTL, TTL, Niveau de sortie: LVCMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8 ns @ 2.7 V, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LCX245MTC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LVT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: LVTTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Tension de sortie niveau bas maximum: 64mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 4 ns @ 2.7 V, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LVTH245MTC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver de bus LVT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: LVTTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -32mA, Tension de sortie niveau bas maximum: 64mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 4 ns @ 2.7 V, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LVTH245MTC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, SOIC, CMS, 16 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, SOIC, CMS, 16 bits, 24 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: 3 états, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns@ 50 pF, Dimensions: 15.54 x 7.6 x 2.36mm, MPN: MC74LVXC3245DWRG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, SOIC, CMS, 16 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, SOIC, CMS, 16 bits, 24 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: 3 états, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns@ 50 pF, Dimensions: 15.54 x 7.6 x 2.36mm, MPN: MC74LVXC3245DWRG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, SOIC, CMS, 16 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, SOIC, CMS, 16 bits, 24 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: 3 états, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns @ 50 pF, Dimensions: 15.54 x 7.6 x 2.36mm, MPN: MC74LVXC3245DWRG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 16 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 16 bits, 24 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: 3 états, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns@ 50 pF, Dimensions: 7.9 x 4.5 x 1.05mm, MPN: MC74LVXC3245DTG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 16 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 16 bits, 24 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: 3 états, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns@ 50 pF, Dimensions: 7.9 x 4.5 x 1.05mm, MPN: MC74LVXC3245DTG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 16 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 16 bits, 24 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: TTL, Niveau de sortie: 3 états, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 9 ns @ 50 pF, Dimensions: 7.9 x 4.5 x 1.05mm, MPN: MC74LVXC3245DTG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8 ns @ 5 V, Dimensions: 7.8 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LVX3245MTCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8 ns @ 5 V, Dimensions: 7.8 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LVX3245MTC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8.5 ns @ 5 V, Dimensions: 7.8 x 4.4 x 0.95mm, MPN: 74LVX4245MTC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8.5 ns@ 5 V, Dimensions: 7.8 x 4.4 x 0.95mm, MPN: 74LVX4245MTC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches onsemi Transceiver de bus LVX, TSSOP, CMS, 8 bits, 24 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 8 ns@ 5 V, Dimensions: 7.8 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74LVX3245MTC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

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onsemi Transceiver LIN, NCV7329MW0R2G, 0.001Mbps Normal, Veille, Veille, DFN, 8 broches onsemi Transceiver LIN, 0.001Mbps Normal, Veille, Veille, DFN, 8 broches, Taux de transfert de données maximum: 0.001 Mbps, 0.02Mbps, Type de CI: LIN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 0,015 mA, 1,2 mA, 6,5 mA, MPN: NCV7329MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver LIN, NCV7422MW0R2G, 0.001Mbps Normal, Veille, Veille, DFN, 14 broches onsemi Transceiver LIN, 0.001Mbps Normal, Veille, Veille, DFN, 14 broches, Taux de transfert de données maximum: 0.001 Mbps, 0.02Mbps, Type de CI: LIN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 0,015 mA, 2,4 mA, 13 mA, MPN: NCV7422MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver LIN, NCV7422MW0R2G, 0.02Mbps DFN, 14 broches onsemi Transceiver LIN, 0.02Mbps DFN, 14 broches, Type de CI: LIN Transceiver, MPN: NCV7422MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver LIN, NCV7422MW0R2G, 0.02Mbps DFN, 14 broches onsemi Transceiver LIN, 0.02Mbps DFN, 14 broches, MPN: NCV7422MW0R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver LIN, NCV7462DQ1R2G, 1Mbps SSOP36-EP, 36 broches onsemi Transceiver LIN, 1Mbps SSOP36-EP, 36 broches, Nombre de transceivers: 2, Type de CI: LIN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 50 mA, MPN: NCV7462DQ1R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver LIN, NCV7462DQ1R2G, 1Mbps SSOP36-EP, 36 broches onsemi Transceiver LIN, 1Mbps SSOP36-EP, 36 broches, MPN: NCV7462DQ1R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver LIN, NCV7462DQ1R2G, 1Mbps SSOP36-EP, 36 broches onsemi Transceiver LIN, 1Mbps SSOP36-EP, 36 broches, Nombre de transceivers: 2, Type de CI: LIN Transceiver, Courant d'alimentation maximum: 50 mA, MPN: NCV7462DQ1R2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface CAN onsemi

onsemi Transceiver LVDS, NB3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches onsemi Transceiver LVDS, NB3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches, Nombre de drivers: 1, Type de montage: CMS, Tension de seuil haute d'entrée différentielle: 150mV, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -50mV, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, MPN: NB3N206SDG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface LVDS onsemi

onsemi Transceiver LVDS, NB3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches onsemi Transceiver LVDS, NB3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches, Nombre de drivers: 1, Type de montage: CMS, Tension de seuil haute d'entrée différentielle: 150mV, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -50mV, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, MPN: NB3N206SDG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface LVDS onsemi

onsemi Transceiver LVDS, NB3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches onsemi Transceiver LVDS, NB3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches, Nombre de drivers: 1, Type de montage: CMS, Tension de seuil haute d'entrée différentielle: 150mV, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -50mV, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: NB3N206SDG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface LVDS onsemi

onsemi Transceiver LVDS, NBA3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches onsemi Transceiver LVDS, NBA3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches, Nombre de drivers: 1, Type de montage: CMS, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -50mV, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 3 V, MPN: NBA3N206SDG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface LVDS onsemi

onsemi Transceiver LVDS, NBA3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches onsemi Transceiver LVDS, NBA3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches, Nombre de drivers: 1, Type de montage: CMS, Tension de seuil haute d'entrée différentielle: 0.1V, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -50mV, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, MPN: NBA3N206SDG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface LVDS onsemi

onsemi Transceiver LVDS, NBA3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches onsemi Transceiver LVDS, NBA3N206SD, LVCMOS, MLVDS LVCMOS, MLVDS 200Mbps, SOIC, 8 broches, Nombre de drivers: 1, Type de montage: CMS, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -50mV, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: NBA3N206SDG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Interfaces > CI d'interface LVDS onsemi

onsemi Transceiver VCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver VCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Niveau de sortie: 3 états, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 16.8 ns @ 15 pF, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74VCX245MTCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver VCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver VCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Niveau de sortie: 3 états, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 16.8 ns @ 15 pF, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74VCX245MTCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transceiver VCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches onsemi Transceiver VCX, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Polarité: Sans inversion, Niveau d'entrée: CMOS, Niveau de sortie: 3 états, Courant de sortie niveau haut maximum: -24mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 16.8 ns @ 15 pF, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 0.9mm, MPN: 74VCX245MTCX Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > CI de logique > Émetteur-récepteur de bus onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD139G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 10 A, 100 V c.c., TO-218, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 10 A, 100 V c.c., TO-218, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BDV65BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 10 A, 50 V, À-220F-3FS, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 10 A, 50 V, À-220F-3FS, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC6144SG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 100 A, 650 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 100 A, 650 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 238 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: AFGHL50T65SQDC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 100 A, 650 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 100 A, 650 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 238 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: AFGHL50T65SQDC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 100 A, 650 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 100 A, 650 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 238 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: AFGHL50T65SQDC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC846ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 3 A, 100 V, IPAK, 4 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 3 A, 100 V, IPAK, 4 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD31C1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 5 mA, 25 V, DPAK, 4 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 5 mA, 25 V, DPAK, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD200G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 50 mA, 300 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 50 mA, 300 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: PZTA42T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 6 A, 80 V, Jusqu'à 220, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 6 A, 80 V, Jusqu'à 220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP41BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 600 mA, 140 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 600 mA, 140 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBT5551LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PZT2222AT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 7 A, 70 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 7 A, 70 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6292G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 8 A, 60 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 8 A, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6043G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 8 A, 80 V c.c., DPAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 8 A, 80 V c.c., DPAK, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD44H11-1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 80 A, 650 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 80 A, 650 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 231 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FGHL40S65UQ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 80 A, 650 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 80 A, 650 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 231 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FGHL40S65UQ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 80 A, 650 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 80 A, 650 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 231 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FGHL40S65UQ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 10 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33725TAR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,2 V, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Dissipation de puissance maximum: 1,56 W, MPN: MJD31CT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN, 5 A, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN, 5 A, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Dimensions: 10.36 x 4.9 x 16.07mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Tension Base Source maximum: ±20V, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Courant de base maximum: 1.5A, Catégorie: Transistor de puissance, Longueur: 10.36mm, MPN: FJPF2145TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, NPN, 5 A, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, NPN, 5 A, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Dimensions: 10.36 x 4.9 x 16.07mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Tension Base Source maximum: ±20V, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Courant de base maximum: 1.5A, Catégorie: Transistor de puissance, Longueur: 10.36mm, MPN: FJPF2145TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 1 A, 20 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 1 A, 20 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 25 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 60 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP69T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., DPAK, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., DPAK, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A (crête), 6 A (continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Gain en courant DC minimum: 15, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, MPN: MJD42CGOS Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., DPAK, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., DPAK, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD42CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., DPAK, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., DPAK, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD42CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., TO-218, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., TO-218, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BDV64BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, -50 V, À-220F-3FS, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, -50 V, À-220F-3FS, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Tension Emetteur Base maximum: -6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SA2222SG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 15 A, 100 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 15 A, 100 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BDW47G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 3 A, 90 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 3 A, 90 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD242CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 5 A, 100 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 5 A, 100 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJF127G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 5 A, 25 V c.c., DPAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 5 A, 25 V c.c., DPAK, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 8 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD210G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 500 mA, 300 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 500 mA, 300 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE350G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, -600 mA, -40 V, TO-92-3L, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, -600 mA, -40 V, TO-92-3L, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 200 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N4403BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 600 mA, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 600 mA, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 200 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, MPN: PZT2907AT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 8 A, 100 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 8 A, 100 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6042G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1 A, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1 A, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 2000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,9 V, Tension Collecteur Base maximum: 90 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,3 V, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.75mm, MPN: BSP52T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1 A, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1 A, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,9 V, Tension Collecteur Base maximum: 90 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,3 V, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.57mm, MPN: BSP52T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1 A, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1 A, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,9 V, Tension Collecteur Base maximum: 90 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,3 V, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.57mm, MPN: BSP52T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1 A, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1 A, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Nombre de broche: 3 + 1 (Tab), Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 2000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,9 V, Tension Collecteur Base maximum: 90 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,3 V, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.75mm, MPN: BSP52T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1 A, 80 V, SOT-223, CMS, 4 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1 A, 80 V, SOT-223, CMS, 4 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 2000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,9 V, Tension Collecteur Base maximum: 90 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,3 V, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.57mm, MPN: BSP52T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 4000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.0001mA, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: BCV27 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 4000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.0001mA, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: BCV27 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 20000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: MMBTA14 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 4000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.0001mA, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: BCV27 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 20000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: MMBTA14 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 20000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: MMBTA14 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,5 A Double, MFP16FS, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,5 A Double, MFP16FS, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Largeur: 1.25mm, MPN: LB1205M-TLM-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,5 A Double, MFP16FS, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,5 A Double, MFP16FS, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Largeur: 1.25mm, MPN: LB1205M-TLM-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,5 A Double, MFP16FS, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 1,5 A Double, MFP16FS, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Largeur: 1.25mm, MPN: LB1205M-TLM-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A (continu), 15 A (crête), 100 V c.c. Simple, TO-218, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A (continu), 15 A (crête), 100 V c.c. Simple, TO-218, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Gain en courant DC minimum: 20, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Courant de coupure Collecteur maximum: 0.7mA, Courant de base: 3A, MPN: TIP33CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V c.c., Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, MPN: MJF6388G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V c.c., Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, MPN: MJF6388G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V c.c., Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, MPN: MJF6388G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: 2N6387G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: 2N6387G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: 2N6387G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Dimensions: 21.08 x 16.26 x 5.3mm, MPN: TIP142G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Dimensions: 21.08 x 16.26 x 5.3mm, MPN: TIP142G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 750, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 1mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 9.28mm, MPN: BDX33CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 350 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 350 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 150, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2,2 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.1mA, Dimensions: 15.2 x 4.9 x 16.2mm, MPN: BU323ZG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 350 V, SOT-93, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 350 V, SOT-93, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 150, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2,2 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.1mA, Dimensions: 15.2 x 4.9 x 16.2mm, MPN: BU323ZG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 350 V, SOT-93, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 350 V, SOT-93, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 150, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2,2 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.1mA, Dimensions: 15.2 x 4.9 x 16.2mm, MPN: BU323ZG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 60 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 60 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Dimensions: 21.08 x 16.26 x 5.3mm, MPN: TIP140G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 60 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 60 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Dimensions: 21.08 x 16.26 x 5.3mm, MPN: TIP140G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 1mA, Dimensions: 15.75 x 10.28 x 4.82mm, MPN: 2N6388G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 2500, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 1mA, Dimensions: 15.75 x 10.28 x 4.82mm, MPN: 2N6388G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 12 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 12 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 1 mA, 100 μA, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 15.95mm, MPN: BDW93CTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 12 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 12 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 1 mA, 100 μA, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 15.95mm, MPN: BDW93CTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 15 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 15 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 250, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 1mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 9.28mm, MPN: BDW42G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 15 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 15 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 250, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 1mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 9.28mm, MPN: BDW42G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,8 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJH11022G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,8 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJH11022G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,8 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJH11022G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 20µA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 20µA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 100 V, IPAK (TO-251), Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 100 V, IPAK (TO-251), Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 20µA, Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.35mm, MPN: MJD112-1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 100 V, IPAK (TO-251), Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 100 V, IPAK (TO-251), Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 20µA, Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.35mm, MPN: MJD112-1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, MPN: TIP111G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 2 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, MPN: TIP111G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 20 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 20 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJH6284G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 20 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 20 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJH6284G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 20 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 20 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJH6284G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 30 A, 120 V, TO-204, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 30 A, 120 V, TO-204, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11016G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 30 A, 120 V, TO-204, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 30 A, 120 V, TO-204, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11016G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 30 A, 120 V, TO-204, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 30 A, 120 V, TO-204, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11016G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 30 A, 60 V, TO-204AA, Traversant, 2 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 30 A, 60 V, TO-204AA, Traversant, 2 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Dimensions: 21.08 (Dia.) x 8.51mm, MPN: MJ11012G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 30 A, 60 V, TO-204AA, Traversant, 2 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 30 A, 60 V, TO-204AA, Traversant, 2 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Dimensions: 21.08 (Dia.) x 8.51mm, MPN: MJ11012G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23 (TO-236, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23 (TO-236, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 20000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTA13LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTA13LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTA13LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTA14LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTA13LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTA14LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTA13LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTA13LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 300 mA, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTA14LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.02mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.02mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.02mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, TO-225, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, TO-225, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 750, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, MPN: BD681G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, TO-225, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, TO-225, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 750, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, MPN: BD681G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, TO-225, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, TO-225, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 750, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, MPN: BD681G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 350 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 350 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 300, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2 V, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 250µA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: NJD35N04G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 350 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 350 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 2000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2 V, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 250mA, Dimensions: 6.73 x 7.49 x 2.38mm, MPN: NJD35N04T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 350 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 350 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 2000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2 V, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 250mA, Dimensions: 6.73 x 7.49 x 2.38mm, MPN: NJD35N04T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 350 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 350 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 2000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2 V, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 250mA, Dimensions: 6.73 x 7.49 x 2.38mm, MPN: NJD35N04T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 350 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 350 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 300, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2 V, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 250µA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: NJD35N04G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 750, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,8 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, MPN: BD675AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 750, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,8 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, MPN: BD675AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 750, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,8 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, MPN: BD675AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP110TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP110TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6038G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6038G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6038G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6039G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6039G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6039G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP110G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP110G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 60 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP110G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP121G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP121G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP121G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 50 A, 120 V, TO-204, Traversant, 2 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 50 A, 120 V, TO-204, Traversant, 2 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 400, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3,5 V, Dimensions: 38.86 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11032G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 50 A, 120 V, TO-204, Traversant, 2 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 50 A, 120 V, TO-204, Traversant, 2 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 400, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3,5 V, Dimensions: 38.86 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11032G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 30 V, TO-92, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 30 V, TO-92, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.0001mA, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSP13BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 30 V, TO-92, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 30 V, TO-92, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.0001mA, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSP13BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 30 V, TO-92, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 30 V, TO-92, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 5000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.0001mA, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSP13BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 40 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 40 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 12 Mo, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 50nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT6427LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 40 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 40 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 50nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT6427LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 40 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 40 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 50nA, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT6427LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V Simple, SOIC, CMS, 16 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V Simple, SOIC, CMS, 16 broches, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,1 V c.c., Courant de coupure Collecteur maximum: 50µA, Courant de base: 25mA, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, MPN: ULN2003ADR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V Simple, SOIC, CMS, 16 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V Simple, SOIC, CMS, 16 broches, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,1 V c.c., Courant de coupure Collecteur maximum: 50µA, Courant de base: 25mA, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, MPN: ULN2003ADR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V Simple, SOIC, CMS, 16 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V Simple, SOIC, CMS, 16 broches, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,1 V c.c., Courant de coupure Collecteur maximum: 50µA, Courant de base: 25mA, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, MPN: ULN2003ADR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches, Tension Emetteur Base maximum: 30 V, Configuration du transistor: Emetteur commun, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: MC1413BDG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches, Configuration du transistor: Emetteur commun, Nombre d'éléments par circuit: 7, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, Dimensions: 10 x 4 x 1.75mm, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: ULQ2003ADR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches, Configuration du transistor: Emetteur commun, Nombre d'éléments par circuit: 7, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, Dimensions: 10 x 4 x 1.75mm, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: ULQ2003ADR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches, Configuration du transistor: Emetteur commun, Nombre d'éléments par circuit: 7, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, Dimensions: 10 x 4 x 1.75mm, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: ULQ2003ADR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Emetteur commun, Nombre d'éléments par circuit: 7, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: MC1413BDR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Emetteur commun, Nombre d'éléments par circuit: 7, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: MC1413BDR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Emetteur commun, Nombre d'éléments par circuit: 7, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: MC1413BDR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3,5 V c.c., Courant de coupure Collecteur maximum: 10µA, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, MPN: MJF122G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.5mA, Dimensions: 15.75 x 10.28 x 4.82mm, MPN: TIP122G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 2500, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 20µA, Dimensions: 15.75 x 10.28 x 4.82mm, MPN: 2N6045G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.01mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD122T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 10µA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: NJVMJD122T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 10µA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: NJVMJD122T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 10µA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: NJVMJD122T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.01mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD122G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.01mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD122G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.01mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD122T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.01mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD122T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.05mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 9.28mm, MPN: TIP102G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.05mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 9.28mm, MPN: TIP102G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 20µA, Dimensions: 15.75 x 10.28 x 4.82mm, MPN: 2N6045G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, TO-220FP, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, TO-220FP, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3,5 V c.c., Courant de coupure Collecteur maximum: 10µA, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, MPN: MJF122G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 400 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 400 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 50, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, MPN: MJE5742G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 400 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 400 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 50, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, MPN: MJE5742G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 400 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 400 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 50, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, MPN: MJE5742G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.5mA, Dimensions: 15.75 x 10.28 x 4.82mm, MPN: TIP120G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.5mA, Dimensions: 15.75 x 10.28 x 4.82mm, MPN: TIP120G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.5mA, Dimensions: 15.75 x 10.28 x 4.82mm, MPN: TIP120G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.5mA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP120TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.5mA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP120TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 8 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.5mA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP121TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 500nA, Dimensions: 6.5 x 3.56 x 1.6mm, MPN: PZTA28 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches, Tension Emetteur Base maximum: 12 Mo, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 500nA, Dimensions: 6.5 x 3.56 x 1.6mm, MPN: PZTA28 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 500nA, Dimensions: 6.5 x 3.56 x 1.6mm, MPN: PZTA28 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 12 Mo, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 2.51 x 1.4 x 1.02mm, MPN: MMBTA28 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 12 Mo, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 2.51 x 1.4 x 1.02mm, MPN: MMBTA28 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, NPN, 800 mA, 80 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 12 Mo, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100nA, Dimensions: 2.51 x 1.4 x 1.02mm, MPN: MMBTA28 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -1,2 A, 30 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -1,2 A, 30 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches, Tension Emetteur Base maximum: -10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: -2 V, Tension Collecteur Base maximum: -30 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -100nA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PZTA64 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -1,2 A, 30 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -1,2 A, 30 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches, Tension Emetteur Base maximum: -10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: -2 V, Tension Collecteur Base maximum: -30 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -100nA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PZTA64 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -1,2 A, 30 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -1,2 A, 30 V, SOT-223, CMS, 3 + Tab broches, Tension Emetteur Base maximum: -10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 10000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: -2 V, Tension Collecteur Base maximum: -30 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -1,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -100nA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PZTA64 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 4000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.0001mA, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: BCV26 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 4000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.0001mA, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: BCV26 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 1,2 A, 30 V, SOT-23, CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 4000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1,5 V, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.0001mA, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: BCV26 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 10 A (crête), 6 A (continu), 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 10 A (crête), 6 A (continu), 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Gain en courant DC minimum: 15, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V c.c., Courant de coupure Collecteur maximum: 400µA, Courant de base: 2A, MPN: TIP42CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -10 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -10 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Base Emetteur maximum: -3,5 V, Tension Collecteur Base maximum: -100 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -1mA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP147TTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -10 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -10 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Base Emetteur maximum: -3,5 V, Tension Collecteur Base maximum: -100 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -1mA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP147TTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 10 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 10 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Dimensions: 21.08 x 16.26 x 5.3mm, MPN: TIP147G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 10 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 10 A, 100 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Dimensions: 21.08 x 16.26 x 5.3mm, MPN: TIP147G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 12 A, 100 V, TO-204, Traversant, 2 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 12 A, 100 V, TO-204, Traversant, 2 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 1mA, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: 2N6052G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 12 A, 100 V, TO-204, Traversant, 2 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 12 A, 100 V, TO-204, Traversant, 2 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 1mA, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: 2N6052G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -12 A, 100 V, TO-220F, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -12 A, 100 V, TO-220F, Traversant, 3 broches, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: -2,5 V, Tension Collecteur Base maximum: -100 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -100 μA, -1 mA, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 15.95mm, MPN: BDW94CFTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -12 A, 100 V, TO-220F, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -12 A, 100 V, TO-220F, Traversant, 3 broches, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: -2,5 V, Tension Collecteur Base maximum: -100 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -100 μA, -1 mA, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 15.95mm, MPN: BDW94CFTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,8 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJH11021G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,8 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJH11021G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 15 A, 250 V, A-247, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 3,8 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 5mA, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJH11021G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 2 A (continu), 4 A (crête), 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 2 A (continu), 4 A (crête), 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Gain en courant DC minimum: 500, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V c.c., Courant de coupure Collecteur maximum: 2mA, Courant de base: 50mA, MPN: TIP117G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 2 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 2 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 20µA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD117G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 2 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 2 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 20µA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD117G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 30 A, 120 V, TO-204, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 30 A, 120 V, TO-204, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11015G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 30 A, 120 V, TO-204, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 30 A, 120 V, TO-204, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11015G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -30 A, 250 V, TO-204, Traversant, 2 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -30 A, 250 V, TO-204, Traversant, 2 broches, Tension Emetteur Base maximum: -50 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: -3,8 V, Tension Collecteur Base maximum: -250 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -3,4 V, Dimensions: 21.08 (Dia.) x 8.51mm, MPN: MJ11021G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -30 A, 250 V, TO-204, Traversant, 2 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -30 A, 250 V, TO-204, Traversant, 2 broches, Tension Emetteur Base maximum: -50 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: -3,8 V, Tension Collecteur Base maximum: -250 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -3,4 V, Dimensions: 21.08 (Dia.) x 8.51mm, MPN: MJ11021G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -4 A, 100 V, A-126, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -4 A, 100 V, A-126, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 750, Tension Collecteur Base maximum: -100 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -500µA, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, MPN: BD682STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.02mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD117T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.02mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD117T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 750, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, Longueur: 7.74mm, MPN: BD676G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 750, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, Longueur: 7.74mm, MPN: BD676G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 45 V, TO-225, Traversant, 3 broches, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 750, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, Longueur: 7.74mm, MPN: BD676G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP126G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP126G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 5 A CC, 80 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP126G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 5 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 5 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 9.28mm, MPN: TIP127G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 5 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 5 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 9.28mm, MPN: TIP127G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -5 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -5 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -1mA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP126TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -5 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -5 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -1mA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP126TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -5 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -5 A, 80 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 1000, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -1mA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP126TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 50 A, 120 V, TO-204, Traversant, 2 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 50 A, 120 V, TO-204, Traversant, 2 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 400, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3,5 V, Dimensions: 38.86 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11033G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 50 A, 120 V, TO-204, Traversant, 2 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 50 A, 120 V, TO-204, Traversant, 2 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 400, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3,5 V, Dimensions: 38.86 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11033G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.01mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD127G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.01mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD127G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.01mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD127T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.01mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD127T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.01mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD127T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.05mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 9.28mm, MPN: TIP107G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 750, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2,5 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.2mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 9.28mm, MPN: BDX54CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, 8 A, 100 V, TO-220AB, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.05mA, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 9.28mm, MPN: TIP107G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: -60 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -50µA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP105TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor Darlington, PNP, -8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches onsemi Transistor Darlington, PNP, -8 A, 60 V, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: -60 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -2 V, Courant de coupure Collecteur maximum: -50µA, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, MPN: TIP105TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor MOS,, NCV8413DTRKG-OS, DPAK, 4 broches Low Side onsemi Transistor MOS,-OS, DPAK, 4 broches Low Side, Résistance RDS(on) de commutation: 37mΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 42 V, Courant de fonctionnement maximum: 22A, Nombre de sorties: 1, Puissance: 2.72W, MPN: NCV8413DTRKG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Gestion de l'alimentation > CI d'interrupteur marche,arrêt onsemi

onsemi Transistor MOS,, NCV8413DTRKG-OS, DPAK, 4 broches Low Side onsemi Transistor MOS,-OS, DPAK, 4 broches Low Side, Résistance RDS(on) de commutation: 37mΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 42 V, Courant de fonctionnement maximum: 22A, Nombre de sorties: 1, Puissance: 2.72W, MPN: NCV8413DTRKG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Gestion de l'alimentation > CI d'interrupteur marche,arrêt onsemi

onsemi Transistor MOS,, NCV84140DR2G-OS, SOIC-8, 8 broches High Side onsemi Transistor MOS,-OS, SOIC-8, 8 broches High Side, Résistance RDS(on) de commutation: 140mΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 28 V, Courant de fonctionnement maximum: 12A, Puissance: 1.17W, MPN: NCV84140DR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Gestion de l'alimentation > CI d'interrupteur marche,arrêt onsemi

onsemi Transistor MOS,, NCV84140DR2G-OS, SOIC-8, 8 broches High Side onsemi Transistor MOS,-OS, SOIC-8, 8 broches High Side, Résistance RDS(on) de commutation: 140mΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 28 V, Courant de fonctionnement maximum: 12A, Puissance: 1.17W, MPN: NCV84140DR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Gestion de l'alimentation > CI d'interrupteur marche,arrêt onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 102 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 102 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,028 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVH4L020N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17 A 1200 V, 4 broches, MPN: NVHL160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,16 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVHL160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,16 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVHL160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches, MPN: NVH4L160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,16 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVH4L160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,224 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTH4L160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,11 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTHL160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 3 broches, MPN: NTHL160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,11 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTH4L080N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,08 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVH4L080N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,11 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTH4L080N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,08 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVH4L080N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches, MPN: NVH4L080N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 4 broches, MPN: NTH4L080N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches, MPN: NVH4L040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,056 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVH4L040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches, MPN: NTH4L040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,056 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTH4L040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,056 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVH4L040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 58 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,056 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTH4L040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 60 A 1200 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 60 A 1200 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,04 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVHL040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 60 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 60 A 1200 V, 4 broches, MPN: NTHL040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 60 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 60 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,056 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTHL040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 84 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 84 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,028 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTH4L020N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 84 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 84 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,028 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTH4L020N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 84 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 84 A 1200 V, 4 broches, MPN: NTH4L020N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 121 A 150 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 121 A 150 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Série: NTB, MPN: NTBGS6D5N15MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 121 A 150 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 121 A 150 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Série: NTB, MPN: NTBGS6D5N15MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 121 A 150 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 121 A 150 V, 7 broches, MPN: NTBGS6D5N15MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches, MPN: NTBGS4D1N15MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTB, MPN: NTBGS4D1N15MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0041 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVB, MPN: NVBGS4D1N15MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0041 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVB, MPN: NVBGS4D1N15MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTB, MPN: NTBGS4D1N15MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 185 A 150 V, 7 broches, MPN: NVBGS4D1N15MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 201 A 100 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 201 A 100 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,00682 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: NTB, MPN: NTB004N10G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 201 A 100 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 201 A 100 V, 3 broches, MPN: NTB004N10G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 201 A 100 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 201 A 100 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,00682 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: NTB, MPN: NTB004N10G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches, MPN: NTBG040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,04 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTB, MPN: NTBG040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,056 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVB, MPN: NVBG040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches, MPN: NVBG040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,056 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVB, MPN: NVBG040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 110 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 110 A 80 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NVM, MPN: NVMFS6H824NLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 110 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 110 A 80 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NVM, MPN: NVMFS6H824NLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 110 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 110 A 80 V, 8 broches, MPN: NVMFS6H824NLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 136 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 136 A 80 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: NTMFS, MPN: NTMFSC004N08MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 136 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 136 A 80 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: NTMFS, MPN: NTMFSC004N08MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 136 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 136 A 80 V, 8 broches, MPN: NTMFSC004N08MC Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 365 A 25 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 365 A 25 V, 8 broches, MPN: NTMFS0D8N02P1ET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 365 A 25 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 365 A 25 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,00068 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: NTMFS, MPN: NTMFS0D8N02P1ET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 365 A 25 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, DFN5 365 A 25 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,00068 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: NTMFS, MPN: NTMFS0D8N02P1ET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, DPAK 35 A 59 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, DPAK 35 A 59 V, 4 broches, MPN: NID9N05BCLT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches, MPN: NTTFS3D7N06HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0039 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NTTF, MPN: NTTFS3D7N06HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0039 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NTTF, MPN: NTTFS3D7N06HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 150 A 40 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 150 A 40 V, 8 broches, MPN: NTTFS2D1N04HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 150 A 40 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 150 A 40 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0021 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NTTF, MPN: NTTFS2D1N04HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 150 A 40 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 150 A 40 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0021 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NTTF, MPN: NTTFS2D1N04HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 84 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 84 A 80 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0059 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: NTTF, MPN: NTTFS5D9N08HTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 84 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 84 A 80 V, 8 broches, MPN: NTTFS5D9N08HTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 84 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 84 A 80 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0059 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: NTTF, MPN: NTTFS5D9N08HTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, WDFN8 14 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, WDFN8 14 A 80 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,05 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NVT, MPN: NVTFS6H888NLTAG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, WDFN8 14 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, WDFN8 14 A 80 V, 8 broches, MPN: NVTFS6H888NLTAG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, WDFN8 14 A 80 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, WDFN8 14 A 80 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,05 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NVT, MPN: NVTFS6H888NLTAG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 38 A 60 V, 12 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 38 A 60 V, 12 broches, MPN: NTTFD9D0N06HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 38 A 60 V, 12 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 38 A 60 V, 12 broches, Résistance Drain Source maximum: 9 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NTTF, MPN: NTTFD9D0N06HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 38 A 60 V, 12 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 38 A 60 V, 12 broches, Résistance Drain Source maximum: 9 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NTTF, MPN: NTTFD9D0N06HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 60 A 40 V, 12 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 60 A 40 V, 12 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0045 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NTTF, MPN: NTTFD4D0N04HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 60 A 40 V, 12 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 60 A 40 V, 12 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0045 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NTTF, MPN: NTTFD4D0N04HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 60 A 40 V, 12 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, WQFN12 60 A 40 V, 12 broches, MPN: NTTFD4D0N04HLTWG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, XDFN3 220 mA 20 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, XDFN3 220 mA 20 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 4,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Série: NTN, MPN: NTNS0K8N021ZTCG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, XDFN3 220 mA 20 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, XDFN3 220 mA 20 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 4,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Série: NTN, MPN: NTNS0K8N021ZTCG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal N,, XDFN3 220 mA 20 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal N,, XDFN3 220 mA 20 V, 3 broches, MPN: NTNS0K8N021ZTCG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal P,, PQFN8 96 A 30 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal P,, PQFN8 96 A 30 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0038 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: NTTF, MPN: NTTFS008P03P8Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal P,, PQFN8 96 A 30 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal P,, PQFN8 96 A 30 V, 8 broches, MPN: NTTFS008P03P8Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal P,, PQFN8 96 A 30 V, 8 broches onsemi Transistor MOSFET canal P,, PQFN8 96 A 30 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0038 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: NTTF, MPN: NTTFS008P03P8Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal P,, XDFN3 127 mA 20 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal P,, XDFN3 127 mA 20 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 10 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Série: NTN, MPN: NTNS2K1P021ZTCG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal P,, XDFN3 127 mA 20 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal P,, XDFN3 127 mA 20 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 10 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Série: NTN, MPN: NTNS2K1P021ZTCG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET canal P,, XDFN3 127 mA 20 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET canal P,, XDFN3 127 mA 20 V, 3 broches, MPN: NTNS2K1P021ZTCG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 102 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 102 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,028 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVH4L020N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 102 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 102 A 1200 V, 4 broches, MPN: NVH4L020N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,16 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVH4L160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,224 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTH4L160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 17,3 A 1200 V, 4 broches, MPN: NTH4L160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 29 A 1200 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 29 A 1200 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,11 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTHL160N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 60 A 1200 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 60 A 1200 V, 3 broches, MPN: NVHL040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 60 A 1200 V, 3 broches onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 60 A 1200 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,04 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NVH, MPN: NVHL040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 60 A 1200 V, 4 broches onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 60 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,056 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTHL040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor canal N,, D2PAK 60 A 1200 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,04 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTB, MPN: NTBG040N120SC1 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET onsemi

onsemi Transistor numérique double, NPN 100 mA 50 V 4,7 kΩ, SOT-963, 6 broches Isolé onsemi Transistor numérique double, NPN 100 mA 50 V 4,7 kΩ, SOT-963, 6 broches Isolé, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 408 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Rapport de résistance typique: 0,1, Dimensions: 1.05 x 0.85 x 0.4mm, MPN: NSBC143ZDP6T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Dimensions: 4.92 x 3.95 x 1.55mm, Longueur: 4.92mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.95mm, MPN: FQS4903TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Dimensions: 4.92 x 3.95 x 1.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.92mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.95mm, MPN: FQS4903TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Dimensions: 4.92 x 3.95 x 1.55mm, Longueur: 4.92mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.95mm, MPN: FQS4901TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Dimensions: 4.92 x 3.95 x 1.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.92mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.95mm, MPN: FQS4903TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Dimensions: 4.92 x 3.95 x 1.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.92mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.95mm, MPN: FQS4901TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique Double, SOP, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Dimensions: 4.92 x 3.95 x 1.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.92mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.95mm, MPN: FQS4901TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Double, TSOP, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique Double, TSOP, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,1 W, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1mm, Longueur: 3.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: NTGD4167CT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Double, TSOP, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique Double, TSOP, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,1 W, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.1mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: NTGD4167CT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Double, TSOP, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique Double, TSOP, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,1 W, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.1mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: NTGD4167CT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, 1200 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, 1200 V, TO-3P, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 30 A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 186 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,4 V, Dimensions: 15.8 x 5 x 18.9mm, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FGA15N120ANTDTU-F109 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, 390 (ventilation) V, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, 390 (ventilation) V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Résistance base-émetteur: 30kΩ, Dimensions: 10.67 x 4.7 x 9.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Résistance d'entrée typique: 75 Ω, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: ISL9V5036P3-F085 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, 390 (ventilation) V, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, 390 (ventilation) V, A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 46 A, Résistance d'entrée typique: 75 Ω, Résistance base-émetteur: 30kΩ, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,8 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 10.67 x 4.7 x 9.4mm, MPN: ISL9V5036P3-F085 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, 390 (ventilation) V, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, 390 (ventilation) V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Résistance base-émetteur: 30kΩ, Dimensions: 10.67 x 4.7 x 9.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Résistance d'entrée typique: 75 Ω, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: ISL9V5036P3-F085 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, 450 (ventilation) V, DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique Simple, 450 (ventilation) V, DPAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Résistance base-émetteur: 30kΩ, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Résistance d'entrée typique: 120 Ω, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: FGD3245G2-F085 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, 450 (ventilation) V, DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique Simple, 450 (ventilation) V, DPAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Résistance base-émetteur: 30kΩ, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Résistance d'entrée typique: 120 Ω, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: FGD3245G2-F085 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, 450 (ventilation) V, DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique Simple, 450 (ventilation) V, DPAK, 2 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 23 A, Résistance d'entrée typique: 120 Ω, Résistance base-émetteur: 30kΩ, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,85 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.26mm, MPN: FGD3245G2-F085 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, MicroFET 2 x 2, 6 broches onsemi Transistor numérique Simple, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Dimensions: 2 x 2 x 0.72mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA420NZOS Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, MicroFET 2 x 2, 6 broches onsemi Transistor numérique Simple, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2 x 2 x 0.72mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA420NZ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, MicroFET 2 x 2, 6 broches onsemi Transistor numérique Simple, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2 x 2 x 0.72mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA420NZ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique Simple, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 6.5mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.5mm, MPN: FQT1N60CTF-WS Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique Simple, SOT-223, 3 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.5mm, MPN: FQT1N60CTF-WS Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique Simple, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 6.5mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.5mm, MPN: FQT1N60CTF-WS Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: MMBF0201NLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: MMBF0201NLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: MMBF0201NLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-263AB, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-263AB, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Dimensions: 10.67 x 8.84 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Longueur: 10.67mm, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Largeur: 8.84mm, MPN: NDB6060L Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-263AB, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-263AB, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Dimensions: 10.67 x 8.84 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Longueur: 10.67mm, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Largeur: 8.84mm, MPN: NDB6060L Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-263AB, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-263AB, 2 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Dimensions: 10.67 x 8.84 x 4.58mm, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Largeur: 8.84mm, MPN: NDB6060L Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: J113-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Longueur: 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: J175-D26Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: J175-D26Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Longueur: 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: J113-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Longueur: 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: J176-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: J176-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: J175-D26Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: J113-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique Simple, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: J176-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 333 W, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Longueur: 10.53mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.83mm, MPN: FDP075N15A-F102 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 294 W, Dimensions: 10.36 x 4.67 x 8.78mm, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.67mm, MPN: FDP083N15A-F102 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 235 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.36 x 4.9 x 9.19mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.36mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.9mm, MPN: FDP18N50 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 294 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.36 x 4.67 x 8.78mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.36mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.67mm, MPN: FDP083N15A-F102 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 333 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.53mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.83mm, MPN: FDP075N15A-F102 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 333 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.53mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.83mm, MPN: FDP075N15A-F102 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 235 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.36 x 4.9 x 9.19mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.36mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.9mm, MPN: FDP18N50 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 235 W, Dimensions: 10.36 x 4.9 x 9.19mm, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.9mm, MPN: FDP18N50 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 294 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.36 x 4.67 x 8.78mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.36mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.67mm, MPN: FDP083N15A-F102 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, ChipFET, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, ChipFET, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,1 W, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.1mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: NTHD3100CT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, ChipFET, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, ChipFET, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,1 W, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.1mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: NTHD3100CT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, ChipFET, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, ChipFET, 8 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,1 W, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1.1mm, Longueur: 3.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: NTHD3100CT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, CPH6, 6 broches onsemi Transistor numérique, CPH6, 6 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.6mm, MPN: CPH6350-TL-W Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, CPH6, 6 broches onsemi Transistor numérique, CPH6, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.9mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.6mm, MPN: CPH6350-TL-W Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, CPH6, 6 broches onsemi Transistor numérique, CPH6, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.9mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.6mm, MPN: CPH6350-TL-W Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 158 W, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 9.65mm, MPN: FQB5N90TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 158 W, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.67mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 9.65mm, MPN: FQB5N90TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 158 W, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.67mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 9.65mm, MPN: FQB5N90TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 313 W, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 9.65mm, MPN: FDB38N30U Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 313 W, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.67mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 9.65mm, MPN: FDB38N30U Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, D2PAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 313 W, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.67mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 9.65mm, MPN: FDB38N30U Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, DPAK, 2 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 83 W, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.26mm, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 6.22mm, MPN: FQD18N20V2TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, DPAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 83 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 6.73mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 6.22mm, MPN: FQD18N20V2TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, DPAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 83 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 6.73mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 6.22mm, MPN: FQD18N20V2TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA430NZ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA520PZ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA520PZ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA430NZ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA520PZ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA430NZ Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, MLP 3.3 x 3.3, 8 broches onsemi Transistor numérique, MLP 3.3 x 3.3, 8 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Dimensions: 3.3 x 3.3 x 0.72mm, Longueur: 3.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMC86262P Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, MLP 3.3 x 3.3, 8 broches onsemi Transistor numérique, MLP 3.3 x 3.3, 8 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.3 x 3.3 x 0.72mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMC86262P Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, MLP 3.3 x 3.3, 8 broches onsemi Transistor numérique, MLP 3.3 x 3.3, 8 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.3 x 3.3 x 0.72mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMC86262P Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC857BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 200, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: SBC857BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC857BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC847BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 200, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: SBC847BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC847BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 256 mW, Résistance base-émetteur: 10kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SMUN5311DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Résistance base-émetteur: 10kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 35, Dissipation de puissance maximum: 256 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SMUN5311DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 256 mW, Résistance base-émetteur: 10kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SMUN5311DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC846BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC846BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 200, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: SBC846BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 200 mA, 50 V c.c., SC-88, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 200 mA, 50 V c.c., SC-88, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: UMZ1NT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 200 mA, 50 V c.c., SC-88, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 200 mA, 50 V c.c., SC-88, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension Emetteur Base maximum: 7 V c.c., Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: UMZ1NT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 200 mA, 50 V c.c., SC-88, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 200 mA, 50 V c.c., SC-88, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension Emetteur Base maximum: 7 V c.c., Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: UMZ1NT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Longueur: 2mm, MPN: MUN5311DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 22 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 60, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.25 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Longueur: 2mm, MPN: MUN5312DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Longueur: 2mm, MPN: MUN5311DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 22 kΩ, Longueur: 2mm, MPN: MUN5312DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 35, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.25 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Longueur: 2mm, MPN: MUN5311DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 22 kΩ, Longueur: 2mm, MPN: MUN5312DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, Longueur: 2.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: NSVMUN531335DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: NSVMUN531335DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN + PNP, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, Longueur: 2.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: NSVMUN531335DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance base-émetteur: 4.7kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5232DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance base-émetteur: 22kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 22 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5212DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance base-émetteur: 4.7kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5232DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 160, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MUN5216DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Résistance base-émetteur: 4.7kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 15, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5232DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5216DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5213DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5216DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5213DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5213DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 22 kΩ, Résistance base-émetteur: 22kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 60, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5212DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance base-émetteur: 22kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 22 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5212DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-563, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-563, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance base-émetteur: 10kΩ, Dimensions: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSBC114EDXV6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-563, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-563, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Résistance base-émetteur: 10kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 35, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSBC114EDXV6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-563, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 mA, 50 V c.c., SOT-563, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance base-émetteur: 10kΩ, Dimensions: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSBC114EDXV6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 V, D2PAK, 2 + Tab broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 V, D2PAK, 2 + Tab broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.67mm, MPN: FJB102TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 V, D2PAK, 2 + Tab broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 V, D2PAK, 2 + Tab broches Dual, Courant continu de Collecteur maximum: 8 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 200, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Longueur: 10.67mm, MPN: FJB102TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 V, D2PAK, 2 + Tab broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Double, 100 V, D2PAK, 2 + Tab broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.67mm, MPN: FJB102TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 256 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,21, MPN: MUN5214DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 256 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Rapport de résistance typique: 0,21, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MUN5214DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Longueur: 2mm, MPN: MUN5211DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 256 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Rapport de résistance typique: 0,047, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MUN5235DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 256 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,047, MPN: MUN5235DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 256 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,21, MPN: MUN5214DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

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onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 35, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.25 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Longueur: 2mm, MPN: MUN5211DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Rapport de résistance typique: 2,13, Longueur: 2.2mm, MPN: MUN5237DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Rapport de résistance typique: 2,13, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, MPN: MUN5237DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, NPN Isolé, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Rapport de résistance typique: 2,13, Longueur: 2.2mm, MPN: MUN5237DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 200, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: BC849CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

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onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: MUN5213T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MUN5215T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

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onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,047, MPN: MUN5235T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, MPN: MUN5213T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

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onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,21, MPN: MUN5214T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: DTC143EET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 15, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, MPN: DTC143EET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: DTC143EET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 160, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMUN2238LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MMUN2238LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Rapport de résistance typique: 0,047, MPN: NSVMMUN2235LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,047, MPN: NSVMMUN2235LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,047, MPN: NSVMMUN2235LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MMUN2238LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MMUN2234LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

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onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Longueur: 2.9mm, MPN: MMUN2213LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

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onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Rapport de résistance typique: 0,12, Dimensions: 2.9 x 1.5 x 1.09mm, Longueur: 2.9mm, MPN: MUN2233T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

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onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,1, MPN: DTC143ZET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: Aucun, MPN: DTC114TET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 160, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Rapport de résistance typique: Aucun, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, MPN: DTC114TET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Rapport de résistance typique: 0,21, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, MPN: DTC114YET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, MPN: DTC144EET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

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onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Rapport de résistance typique: 0,1, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, MPN: DTC143ZET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, MPN: DTC114EET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

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onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, MPN: DTC144EET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,1, MPN: DTC143ZET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, MPN: DTC144EET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,21, MPN: DTC114YET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, MPN: DTC114EET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 600 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, MPN: DTC114EM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 600 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Rapport de résistance typique: Aucun, MPN: DTC143TM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 8, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, MPN: DTC123EM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 35, Dissipation de puissance maximum: 600 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, MPN: DTC114EM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 297 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Rapport de résistance typique: 0,21, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, MPN: DTC114YM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 297 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,21, MPN: DTC114YM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 160, Dissipation de puissance maximum: 600 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Rapport de résistance typique: Aucun, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, MPN: DTC143TM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 600 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: Aucun, MPN: DTC114TM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 297 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,21, MPN: DTC114YM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 600 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Rapport de résistance typique: Aucun, MPN: DTC143TM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 600 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: Aucun, MPN: DTC114TM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 160, Dissipation de puissance maximum: 600 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Rapport de résistance typique: Aucun, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, MPN: DTC114TM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 600 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, MPN: DTC114EM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, MPN: DTC123EM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, MPN: DTC123EM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V c.c., Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSV1C201MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V c.c., Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSV1C201MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Courant continu de Collecteur maximum: 2 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 40, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,18 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: NSV1C201MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V, TO-92, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 1 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 25, Dissipation de puissance maximum: 830 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: BC63916-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 830 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC63916-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 100 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 830 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC63916-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 115 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 115 V c.c., A-220, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 3 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 10, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,2 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, MPN: BD241CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 115 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 115 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD241CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 115 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 115 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD241CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 2 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 200, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,09 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: NSS12201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSS12201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSS12201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 150 mA, 300 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 150 mA, 300 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 450 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MSD42WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 150 mA, 300 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 150 mA, 300 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 25, Dissipation de puissance maximum: 450 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: MSD42WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 150 mA, 300 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 150 mA, 300 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 450 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MSD42WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 160 V, TO-92, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 1 A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 5.1 x 4.1 x 8.2mm, MPN: KSC2383OTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 5.1 x 4.1 x 8.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC2383OTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 5.1 x 4.1 x 8.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC2383OTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 20 V c.c., WDFN, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 20 V c.c., WDFN, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSS20501UW3T2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 20 V c.c., WDFN, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 20 V c.c., WDFN, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 5 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 180, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,13 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, MPN: NSS20501UW3T2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 20 V c.c., WDFN, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 20 V c.c., WDFN, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSS20501UW3T2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 200 mA, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 200 mA, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBT4124LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 200 mA, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 200 mA, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 60, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT4124LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 200 mA, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 200 mA, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBT4124LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 230 V c.c., A-247, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 230 V c.c., A-247, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 15 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 12, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJW3281AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 230 V c.c., A-247, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 230 V c.c., A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJW3281AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 230 V c.c., A-247, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 230 V c.c., A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJW3281AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 60, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 3 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTH10-4LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 3 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MMBTH10-4LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 25 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 3 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MMBTH10-4LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 250 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 250 V c.c., A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 1 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 10, Dissipation de puissance maximum: 28,4 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, MPN: MJF47G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 250 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 250 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 28,4 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJF47G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 250 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 250 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 28,4 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJF47G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC517-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 30 V, TO-92, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 1,2 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 30000, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: BC517-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 10 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC517-D74Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, MPN: FJT44TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FJT44TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FJT44TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 400 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 400 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.53mm, MPN: BU406G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 400 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 400 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.53mm, MPN: BU406G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 400 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 400 V c.c., A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 7 A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Longueur: 10.53mm, MPN: BU406G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 300 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 300 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SPZTA42T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 300 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 300 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 25, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: SPZTA42T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 300 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 300 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SPZTA42T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 80 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 80 V c.c., SC-70, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 100, Dissipation de puissance maximum: 460 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: MMBTA06WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 80 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 80 V c.c., SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 460 mW, Tension Emetteur Base maximum: 4 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MMBTA06WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 80 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 500 mA, 80 V c.c., SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 460 mW, Tension Emetteur Base maximum: 4 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MMBTA06WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 6 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 6 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,1 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, MPN: BUB323ZT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 6 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 6 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,1 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, MPN: BUB323ZT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 6 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 6 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 150, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,1 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, MPN: BUB323ZT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 6 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 15, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP41AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP41AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP41AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 2 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 100, Dissipation de puissance maximum: 710 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,14 V, Tension Emetteur Base maximum: 8 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: NSS60201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 710 mW, Tension Emetteur Base maximum: 8 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSS60201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 710 mW, Tension Emetteur Base maximum: 8 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSS60201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP35AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-93, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 25 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 15, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, MPN: TIP35AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP35AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 4 A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: BD787G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD787G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD787G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., SC-70, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 20, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: MMBT4401WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBT4401WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBT4401WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N4401TFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., TO-92, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 20, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: 2N4401TFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 mA, 40 V c.c., TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N4401TFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 V, A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 2 A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 118.16 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Dimensions: 10.67 x 4.7 x 9.4mm, MPN: KSC5502DTTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 118.16 W, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Dimensions: 10.67 x 4.7 x 9.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC5502DTTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 600 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 118.16 W, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Dimensions: 10.67 x 4.7 x 9.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC5502DTTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 70 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BDX33BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 750, Dissipation de puissance maximum: 70 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, MPN: BDX33BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 70 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BDX33BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BDX53BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 8 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 750, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, MPN: BDX53BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BDX53BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 8 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 40, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, MPN: MJD44H11RLG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJD44H11RLG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJD44H11RLG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBCP56-10T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBCP56-10T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 1 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 63, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: SBCP56-10T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP141G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP141G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., SOT-93, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 500, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, MPN: TIP141G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 4 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 15, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,8 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: BD441G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD237G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD441G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 2 A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: BD237G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD441G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD237G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 800 V, TO-262, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 800 V, TO-262, 3 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 3 A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Dimensions: 10.29 x 4.83 x 9.65mm, MPN: FJI5603DTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 800 V, TO-262, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 800 V, TO-262, 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Dimensions: 10.29 x 4.83 x 9.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FJI5603DTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 800 V, TO-262, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 800 V, TO-262, 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Dimensions: 10.29 x 4.83 x 9.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FJI5603DTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 90 V c.c. (ventilation), A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 90 V c.c. (ventilation), A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 5, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, MPN: MJF3055G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 90 V c.c. (ventilation), A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 90 V c.c. (ventilation), A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJF3055G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 90 V c.c. (ventilation), A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 90 V c.c. (ventilation), A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJF3055G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Rapport de résistance typique: 0,047, MPN: MUN5135T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,047, MPN: MUN5135T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Résistance base-émetteur: 47kΩ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 2,2 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,047, MPN: MUN5135T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, MPN: DTA114YET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: DTA114YET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V c.c., SC-75, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: DTA114YET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SMMUN2111LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 35, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: SMMUN2111LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SMMUN2111LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,1, MPN: MMUN2133LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: Aucun, MPN: MMUN2115LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,21, MPN: MMUN2114LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,21, MPN: MMUN2114LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Longueur: 2.9mm, MPN: MMUN2113LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: Aucun, MPN: MMUN2115LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Longueur: 2.9mm, MPN: MMUN2113LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Longueur: 2.9mm, MPN: MMUN2113LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SMMUN2111LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Rapport de résistance typique: 0,1, MPN: MMUN2133LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Longueur: 2.9mm, MPN: MMUN2113LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Longueur: 2.9mm, MPN: MMUN2132LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 15, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Longueur: 2.9mm, MPN: MMUN2132LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SMMUN2111LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Longueur: 2.9mm, MPN: MMUN2113LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 4,7 kΩ, Longueur: 2.9mm, MPN: MMUN2132LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 47 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 80, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Longueur: 2.9mm, MPN: MMUN2113LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 35, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: SMMUN2111LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 35, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, MPN: DTA114EM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, MPN: DTA114EM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, MPN: DTA114EM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD244CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., A-220, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 6 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 15, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, MPN: BD244CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD244CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., DPAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., DPAK, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJD117-1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., DPAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., DPAK, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJD117-1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., DPAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., DPAK, 3 + Tab broches, Courant continu de Collecteur maximum: 2 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 200, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, MPN: MJD117-1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., IPAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., IPAK, 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJD42C1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., IPAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., IPAK, 3 + Tab broches, Courant continu de Collecteur maximum: 6 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 15, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.35mm, MPN: MJD42C1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., IPAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., IPAK, 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJD42C1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -120 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -120 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSA992FTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -120 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -120 V, TO-92, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: -50 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 150, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,3 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: KSA992FTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 200 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 200 V c.c., SOT-93, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 15 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 100, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, MPN: MJH11019G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 200 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 200 V c.c., SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJH11019G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 200 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 200 V c.c., SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJH11019G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 260 V c.c., TO-264, 5 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 260 V c.c., TO-264, 5 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 20.15 x 5.18 x 26.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJL0302DG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 260 V c.c., TO-264, 5 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 260 V c.c., TO-264, 5 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 20.15 x 5.18 x 26.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJL0302DG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 260 V c.c., TO-264, 5 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 260 V c.c., TO-264, 5 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 15 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 75, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 20.15 x 5.18 x 26.11mm, MPN: NJL0302DG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V c.c., SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: -1 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 40, Dissipation de puissance maximum: 710 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,65 V cc, Tension Emetteur Base maximum: -5 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT589LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 710 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MMBT589LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 710 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MMBT589LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V, TO-92, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: -1 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 30000, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -1 V, Tension Emetteur Base maximum: -10 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: BC516-D27Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: -10 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC516-D27Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: -10 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC516-D27Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 300 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 300 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE5730G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 300 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 300 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE5730G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 300 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 300 V c.c., A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 1 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 10, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, MPN: MJE5730G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -32 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -32 V c.c., SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: -100 mA, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 215, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,3 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: BCW30LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -32 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -32 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: BCW30LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -32 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -32 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: BCW30LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 3 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 10, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: NJV4030PT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NJV4030PT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NJV4030PT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 3 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 100, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: NSS40300MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSS40300MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 40 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSS40300MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension Emetteur Base maximum: -7 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSS40200LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: -2 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 150, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,17 V, Tension Emetteur Base maximum: -7 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: NSS40200LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension Emetteur Base maximum: -7 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSS40200LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 45 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 45 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD136G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 45 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 45 V c.c., TO-225, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 1,5 A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: BD136G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 45 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 45 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD136G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 460 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: BC807-25WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SC-70, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: -500 mA, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 160, Dissipation de puissance maximum: 460 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,7 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: BC807-25WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 460 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: BC807-25WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: -500 mA, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 40, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,7 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: SBC807-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC807-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC807-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -50 V, Ipak (7518-003), 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -50 V, Ipak (7518-003), 3 + Tab broches, Courant continu de Collecteur maximum: -5 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 200, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -430 mV, Tension Emetteur Base maximum: -6 V, Dimensions: 6.5 x 2.3 x 5.5mm, MPN: 2SA2039-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -50 V, Ipak (7518-003), 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -50 V, Ipak (7518-003), 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Emetteur Base maximum: -6 V, Dimensions: 6.5 x 2.3 x 5.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SA2039-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -50 V, Ipak (7518-003), 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -50 V, Ipak (7518-003), 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Emetteur Base maximum: -6 V, Dimensions: 6.5 x 2.3 x 5.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SA2039-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 50 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, Rapport de résistance typique: Aucun, MPN: DTA114TET1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 500 mA, -300 V cc, SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 500 mA, -300 V cc, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V c.c., Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MSB92ASWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 500 mA, -300 V cc, SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 500 mA, -300 V cc, SC-70, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 25, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,5 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: -5 V c.c., Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: MSB92ASWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 500 mA, -300 V cc, SC-70, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 500 mA, -300 V cc, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V c.c., Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MSB92ASWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 6 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 15, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP42AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP42AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP42AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD678G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD678G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 4 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 750, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V c.c., Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: BD678G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC556BTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC556BTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -65 V, TO-92, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: -100 mA, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 110, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -650 mV, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: BC556BTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP106G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 8 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 200, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP106G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD810G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 15, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,1 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, MPN: BD810G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD810G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP106G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 40, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, MPN: MJB45H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJB45H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJB45H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJB45H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJB45H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., D2PAK, 2 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 40, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, MPN: MJB45H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 8 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 40, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, MPN: NJVMJD45H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NJVMJD45H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., DPAK, 2 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NJVMJD45H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -80 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -80 V c.c., SOT-223, 3 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 1,5 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 40, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,5 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: -5 V c.c., Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: SBCP53T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD680AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD680AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Courant continu de Collecteur maximum: 4 A, Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 750, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,8 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: BD680AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PQFN, 8 broches onsemi Transistor numérique, PQFN, 8 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 41 W, Dimensions: 3.3 x 3.3 x 1.05mm, Longueur: 3.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMC8462 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PQFN, 8 broches onsemi Transistor numérique, PQFN, 8 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 41 W, Dimensions: 3.3 x 3.3 x 1.05mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMC8462 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PQFN, 8 broches onsemi Transistor numérique, PQFN, 8 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 41 W, Dimensions: 3.3 x 3.3 x 1.05mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMC8462 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, PQFN, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, PQFN, 8 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Dimensions: 6.25 x 5.1 x 1.05mm, Longueur: 6.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 5.1mm, MPN: FDMS3624S Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.35mm, MPN: FDG6304P Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.35mm, MPN: FDG6304P Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.35mm, MPN: FDG6321C Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.35mm, MPN: FDG6321C Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.35mm, MPN: FDG6304P Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.35mm, MPN: FDG6321C Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SC-88, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SC-88, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.35mm, MPN: NVJD5121NT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SC-88, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SC-88, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.35mm, MPN: NVJD5121NT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SC-88, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SC-88, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.35mm, MPN: NVJD5121NT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.9mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.9mm, MPN: FDFS2P106A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.9mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.9mm, MPN: FDFS2P106A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 (simple) W, 2 (double) W, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.58mm, Longueur: 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.9mm, MPN: FDFS2P106A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 (simple) W, 2 (double) W, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.58mm, Longueur: 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.9mm, MPN: FDS8958A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,1 W, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.9mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.9mm, MPN: FDS8935 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,1 W, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.58mm, Longueur: 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.9mm, MPN: FDS8935 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.9mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.9mm, MPN: FDS8958A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.9mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.9mm, MPN: FDS8958A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,1 W, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 4.9mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.9mm, MPN: FDS8935 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, SOT-223, 3 + Tab broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,69 W, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Longueur: 6.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.7mm, MPN: NCV8440ASTT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,69 W, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 6.7mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.7mm, MPN: NCV8440ASTT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,69 W, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 6.7mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 3.7mm, MPN: NCV8440ASTT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.92mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.3mm, MPN: MMBFJ202 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: BSS123L Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: BSS123L Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: BVSS123LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: BVSS123LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: -0,47 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: NVR5124PLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: -0,47 W, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: NVR5124PLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: NVTR4502PT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: BSS123L Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, Longueur: 2.92mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.3mm, MPN: MMBFJ202 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: -0,47 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: NVR5124PLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: NVTR4502PT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: NVTR4502PT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 0.94mm, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: 2N7002L Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: 2N7002L Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: BVSS123LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.92mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.3mm, MPN: MMBFJ202 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor numérique, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.04mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.4mm, MPN: 2N7002L Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-563, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SOT-563, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 280 W, Dimensions: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 1.7mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.3mm, MPN: NTZD3154NT5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-563, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SOT-563, 6 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 280 W, Dimensions: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.3mm, MPN: NTZD3154NT5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, SOT-563, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, SOT-563, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 280 W, Dimensions: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 1.7mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.3mm, MPN: NTZD3154NT5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-251AA, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, TO-251AA, 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Dimensions: 6.8 x 2.5 x 6.3mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Longueur: 6.8mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 2.5mm, MPN: RFD3055LE Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-251AA, 3 + Tab broches onsemi Transistor numérique, TO-251AA, 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Dimensions: 6.8 x 2.5 x 6.3mm, Longueur: 6.8mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 2.5mm, MPN: RFD3055LE Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 312 W, Dimensions: 16.2 x 5 x 18.9mm, Longueur: 16.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 5mm, MPN: FDA38N30 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 312 W, Dimensions: 16.2 x 5 x 18.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 16.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 5mm, MPN: FDA38N30 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 312 W, Dimensions: 16.2 x 5 x 18.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 16.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 5mm, MPN: FDA38N30 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Dimensions: 16.2 x 5 x 18.9mm, Longueur: 16.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 5mm, MPN: FDA59N30 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 16.2 x 5 x 18.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 16.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 5mm, MPN: FDA59N30 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 16.2 x 5 x 18.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 16.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 5mm, MPN: FDA59N30 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: BS170-D75Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: BS170-D26Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: BS170-D27Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Longueur: 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: BS170-D75Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: BS170-D26Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Longueur: 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: BS170-D26Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Longueur: 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: BS170-D27Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: BS170-D75Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches onsemi Transistor numérique, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 5.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.19mm, MPN: BS170-D27Z Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: FDC8601 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: SI3443DV Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: FDC5661N-F085 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: FDC8601 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: SI3443DV Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: FDC8601 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: SI3443DV Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: FDC5661N-F085 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: FDC5661N-F085 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: FDC3601N Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: FDC3601N Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: FDC3601N Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, WDFN, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, WDFN, 8 broches Dual, Nombre d'éléments par circuit: 2, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 3 x 1.9 x 0.75mm, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.9mm, MPN: FDMB3800N Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, WDFN, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, WDFN, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 3 x 1.9 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.9mm, MPN: FDMB3800N Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor numérique, WDFN, 8 broches Dual onsemi Transistor numérique, WDFN, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 3 x 1.9 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.9mm, MPN: FDMB3800N Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Base commune, 1 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Base commune, 1 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 190 mV (NPN), -430 mV (PNP), MPN: CPH5517-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Base commune, 1 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Base commune, 1 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 190 mV (NPN), -430 mV (PNP), MPN: CPH5517-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Base commune, 1 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Base commune, 1 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: -50 V, 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V (NPN), -5 V (PNP), Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, MPN: CPH5517-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 1,5 A, 30 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 1,5 A, 30 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,2 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: -30 V, 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 450 (NPN) MHz, 500 (PNP) MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, MPN: CPH5506-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 1,5 A, 30 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 1,5 A, 30 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,2 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 500 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 225 mV (NPN), -375 mV (PNP), MPN: CPH5506-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 1,5 A, 30 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 1,5 A, 30 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,2 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 500 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 225 mV (NPN), -375 mV (PNP), MPN: CPH5506-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 3 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 3 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,2 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: -6 V, 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 390 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -650 mV, 240 mV, MPN: CPH5524-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 3 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 3 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,2 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: -50 V, 100 V, Tension Emetteur Base maximum: -6 V, 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 380 MHz, 390 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, MPN: CPH5524-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 3 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Emetteur commun, 3 A, 50 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,2 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: -6 V, 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 390 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -650 mV, 240 mV, MPN: CPH5524-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 (PNP), 6 (NPN) V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Hauteur: 0.9mm, MPN: BC847BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.65 V, MPN: BC847BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,65 V, MPN: BC847BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.0 x 1.25 x 0.95mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V (NPN), -0,65 V (PNP), MPN: BC846BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.0 x 1.25 x 0.95mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V (NPN), -0,65 V (PNP), MPN: BC846BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 200 (NPN), 200 PNP, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, 80 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V (PNP), 6 V (NPN), Dimensions: 2.0 x 1.25 x 0.95mm, Longueur: 2mm, MPN: BC846BPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V (NPN), -0,4 V (PNP), MPN: MBT3946DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Gain en courant DC minimum: 30, Tension Collecteur Base maximum: -40 V, 60 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V (PNP), 6 V (NPN), Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MBT3946DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 783 mW, Tension Emetteur Base maximum: -7 V, 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,115 V, MPN: NSS40302PDR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 783 mW, Tension Emetteur Base maximum: -7 V, 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,115 V, MPN: NSS40302PDR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 783 mW, Gain en courant DC minimum: 180, Tension Collecteur Base maximum: -40 V, 40 V, Tension Emetteur Base maximum: -7 V, 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, MPN: NSS40302PDR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 500 mA, 30 V, SOT-363 (SC-70), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 500 mA, 30 V, SOT-363 (SC-70), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2 x 1.25 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,4 V, MPN: FFB2227A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 500 mA, 30 V, SOT-363 (SC-70), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 500 mA, 30 V, SOT-363 (SC-70), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2 x 1.25 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,4 V, MPN: FFB2227A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 500 mA, 30 V, SOT-363 (SC-70), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP Isolé, 500 mA, 30 V, SOT-363 (SC-70), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2 x 1.25 x 1mm, MPN: FFB2227A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5313DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5335DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5333DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de transistor: NPN, PNP, Courant continu de Collecteur maximum: 100 (mA continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Gain en courant DC minimum: 80, Nombre d'éléments par circuit: 2, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: MUN5333DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de transistor: NPN, PNP, Courant continu de Collecteur maximum: 100 mA (continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Gain en courant DC minimum: 80, Nombre d'éléments par circuit: 2, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: MUN5335DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de transistor: NPN, PNP, Courant continu de Collecteur maximum: 100 (mA continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Gain en courant DC minimum: 80, Nombre d'éléments par circuit: 2, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: MUN5313DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5313DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5335DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5333DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC848CPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual, Courant continu de Collecteur maximum: 100 mA ((continu) NPN), 200 mA ((crête) PNP), Tension Collecteur Emetteur maximum: 30 V (NPN), -30 V (PNP), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V (NPN), -6 V (PNP), Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: BC848CPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC848CPDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847BPDW1T2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Courant continu de Collecteur maximum: 100 mA ((continu) NPN), 200 mA ((crête) PNP), Tension Collecteur Emetteur maximum: 45 V (NPN), -45 V (PNP), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V (NPN), -50 V (PNP), Tension Emetteur Base maximum: 6 V (NPN), -6 V (PNP), Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: BC847BPDW1T2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847BPDW1T2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847BPDW1T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Courant continu de Collecteur maximum: 100 A (continu), 200 mA (crête), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: BC847BPDW1T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847BPDW1T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Complexe, 500 mA, 45 V, SC-74, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Complexe, 500 mA, 45 V, SC-74, 6 broches Dual, Tension Collecteur Emetteur maximum: 40 V, 45 V, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 260 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz (min.), Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1mm, MPN: NSM4002MR6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Complexe, 500 mA, 45 V, SC-74, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Complexe, 500 mA, 45 V, SC-74, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 260 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: NSM4002MR6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Complexe, 500 mA, 45 V, SC-74, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Complexe, 500 mA, 45 V, SC-74, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 260 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: NSM4002MR6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 100 mA, 50 V, SOT-353 (SC-88A), 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 100 mA, 50 V, SOT-353 (SC-88A), 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSB1706DMW5T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 100 mA, 50 V, SOT-353 (SC-88A), 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 100 mA, 50 V, SOT-353 (SC-88A), 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSB1706DMW5T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 100 mA, 50 V, SOT-353 (SC-88A), 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 100 mA, 50 V, SOT-353 (SC-88A), 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Gain en courant DC minimum: 80, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, MPN: NSB1706DMW5T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 3 A, 100 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 3 A, 100 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Gain en courant DC minimum: 70, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 380 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, MPN: CPH5504-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 3 A, 100 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 3 A, 100 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 380 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 210 mV, MPN: CPH5504-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 3 A, 100 V, CPH, 5 broches Dual onsemi Transistor, NPN Emetteur commun, 3 A, 100 V, CPH, 5 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 380 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 210 mV, MPN: CPH5504-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 1,5 A, 30 V, CPH, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 1,5 A, 30 V, CPH, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,2 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 500 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 250 mV, MPN: CPH6539-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 1,5 A, 30 V, CPH, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 1,5 A, 30 V, CPH, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,2 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 500 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, MPN: CPH6539-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-70), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-70), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 210 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847BS Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: SBC847CDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: SBC847CDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.0 x 1.25 x 0.95mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847BDW1T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Hauteur: 0.9mm, MPN: BC847BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.0 x 1.25 x 0.95mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847BDW1T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.6 V, MPN: BC847BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: SBC847CDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 420, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.0 x 1.25 x 0.95mm, MPN: BC847BDW1T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Gain en courant DC minimum: 160, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 kHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MUN5215DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 kHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5215DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 50 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 kHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5215DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC846BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.6 V, MPN: BC846BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Hauteur: 0.9mm, MPN: BC846BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 75, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, MPN: MMPQ3904 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: MMPQ3904 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: MMPQ3904 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: FMB3904 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, MPN: FMB3904 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: FMB3904 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: MBT3904DW1T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MBT3904DW1T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: MBT3904DW1T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 783 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,115 V, MPN: NSS40301MDR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 783 mW, Gain en courant DC minimum: 0.9, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz (minimum), Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, MPN: NSS40301MDR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 783 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,115 V, MPN: NSS40301MDR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 500 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad onsemi Transistor, NPN Isolé, 500 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: MMPQ2222A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 500 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad onsemi Transistor, NPN Isolé, 500 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: MMPQ2222A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 500 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad onsemi Transistor, NPN Isolé, 500 mA, 40 V, SOIC, 16 broches Quad, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 10 x 4 x 1.5mm, MPN: MMPQ2222A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 160 V, SOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 160 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 3 x 1.68 x 1.12mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,15 V, MPN: FMBM5551 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 160 V, SOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 160 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 3 x 1.68 x 1.12mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,15 V, MPN: FMBM5551 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 160 V, SOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 160 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Gain en courant DC minimum: 80, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 3 x 1.68 x 1.12mm, MPN: FMBM5551 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: MBT2222ADW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MBT2222ADW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN Isolé, 600 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: MBT2222ADW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 100 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 100 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP29CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 100 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 100 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP29CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 100 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 100 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: 2SC3646S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 100 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 100 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: 2SC3646S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 100 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 100 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Gain en courant DC minimum: 140, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SC3646S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC2383YTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 8mm, MPN: KSC2383YTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC2383YTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 20 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 20 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 25 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP68T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 20 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 20 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 50, Tension Collecteur Base maximum: 25 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: BCP68T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 20 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 20 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 25 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP68T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 250 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 250 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 350 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP47G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 250 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 250 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 350 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP47G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: KSD471ACYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: KSD471ACYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Gain en courant DC minimum: 120, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: KSD471ACYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 300 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 300 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP48G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 300 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 300 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP48G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PN2222ATA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PN2222ABU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: PN2222ATF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PN2222ATF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PN2222ATF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PN2222ATFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PN2222ATA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 35, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: PN2222ABU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 35, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: PN2222ATA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PN2222ABU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PN2222ATFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 500 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD50G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,56 W, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD50T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,56 W, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD50T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 400 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 400 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP50G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 400 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 400 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP50G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 50 V, CPH, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 50 V, CPH, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, MPN: CPH3216-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 160 MHz, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: KSD1616AGTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: KSD1616AYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Gain en courant DC minimum: 135, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: KSD1616AYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Gain en courant DC minimum: 81, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 160 MHz, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 1.2 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.3 V, MPN: KSD1616AGTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 160 MHz, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.3 V, MPN: KSD1616AGTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: KSD1616AYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.63mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP56T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 130 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: SBCP56-16T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 130 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: SBCP56-16T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 130 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP56-16T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP56-10T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP56-10T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: BCP56-10T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 130 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 1.57mm, MPN: BCP56-16T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 25, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 130 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Hauteur: 1.57mm, MPN: BCP56-16T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 25, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.63mm, MPN: BCP56T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 130 MHz, Nombre de broche: 3+Tab, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: SBCP56-16T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 25, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.63mm, MPN: BCP56-16T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.63mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP56T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.63mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP56-16T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.63mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP56-16T3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 3 MHz, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: 2N4923G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 3 MHz, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: 2N4923G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,2 A, 160 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,2 A, 160 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,7 V, MPN: KSC2690AYS Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,2 A, 160 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,2 A, 160 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Longueur: 8mm, MPN: KSC2690AYS Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,2 A, 160 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,2 A, 160 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,7 V, MPN: KSC2690AYSTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,2 A, 160 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,2 A, 160 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,7 V, MPN: KSC2690AYS Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 160 V, NMP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 160 V, NMP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 140, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 6.9 x 2.5 x 4.5mm, MPN: 2SC4614T-AN Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 160 V, NMP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 160 V, NMP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 6.9 x 2.5 x 4.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 450 mV, MPN: 2SC4614T-AN Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 160 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 160 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Gain en courant DC minimum: 80, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, MPN: 2SC4027S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 160 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 160 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,45 V, MPN: 2SC4027S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 160 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 160 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,45 V, MPN: 2SC4027S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 25 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 25 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: 150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: SS8050DTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 25 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 25 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: SS8050DBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: KSE13003H2ASTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJE3303H2TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 0,1 MHz, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJE3303H1TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Dimensions: 8.3 x 3.45 x 11.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD13510STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Dimensions: 8.3 x 3.45 x 11.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD13510STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP54 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP54 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 150, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Longueur: 6.5mm, MPN: BCP54 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD135G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 45 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD135G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD13716STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD13716STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 150, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Longueur: 6.5mm, MPN: BCP55 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP55 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCP55 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, SOT-23 (TO-236), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, SOT-23 (TO-236), 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 45 V, Dimensions: 8.3 x 3.45 x 11.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD13516STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD137G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 60 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD137G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD13916STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 8.3 x 3.45 x 11.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD13910STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD13916STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 8.3 x 3.45 x 11.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD13910STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 11.04mm, Longueur: 7.74mm, MPN: BD139G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 80 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Hauteur: 11.04mm, Longueur: 7.74mm, MPN: BD139G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1.5 A, 25 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1.5 A, 25 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: SS8050DTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1.5 A, 25 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1.5 A, 25 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.5 V, MPN: SS8050DBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1.5 A, 25 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1.5 A, 25 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: SS8050DBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1.5 A, 25 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1.5 A, 25 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.5 V, MPN: SS8050DTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1.5 A, 400 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1.5 A, 400 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: KSE13003H2ASTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 140 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 140 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 117 W, Tension Collecteur Base maximum: 160 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 40 kHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3442G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 140 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 140 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 117 W, Tension Collecteur Base maximum: 160 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 40 kHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3442G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 140 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 140 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Collecteur Base maximum: 200 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FJA4310OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 140 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 140 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Collecteur Base maximum: 200 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FJA4310OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 40 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 40 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 25 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 8 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE200G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 40 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 40 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 25 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 8 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE200G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 40 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 40 V c.c., TO-225, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A (crête), 5 A (continu), Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 25 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 8 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: MJE200G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 400 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 400 V c.c., A-220, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A (crête), 5 A (continu), Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 12 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: BUL45D2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 400 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 400 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 12 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: BUL45D2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 400 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 400 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 12 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: BUL45D2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 70 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 500 KHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD3055T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 70 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 500 KHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD3055T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 70 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 500 KHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD3055T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: D44H8G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 70 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE3055TG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: D44H8G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 70 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE3055TG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD809G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD809G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.29 x 11.05 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: NJVMJB44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.29 x 11.05 x 4.83mm, MPN: NJVMJB44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, MPN: MJB44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: MJB44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: MJB44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.29 x 11.05 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: NJVMJB44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: D44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: D44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220FP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220FP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, MPN: MJF44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220FP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220FP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: MJF44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220FP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 10 A, 80 V, TO-220FP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: MJF44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SC-82FL, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SC-82FL, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 450 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 GHz, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSVF4015SG4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SC-82FL, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SC-82FL, 4 broches, Tension Collecteur Emetteur maximum: 12 Mo, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 450 mW, Gain en courant DC minimum: 60, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 GHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, MPN: NSVF4015SG4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SC-82FL, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SC-82FL, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 450 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 GHz, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSVF4015SG4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SC-82FL, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SC-82FL, 4 broches, Tension Collecteur Emetteur maximum: 12 Mo, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 450 mW, Gain en courant DC minimum: 60, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 GHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, MPN: NSVF4017SG4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 400 mV c.c., MPN: BSV52LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 400 mV c.c., MPN: BSV52LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Longueur: 3.04mm, MPN: BSV52LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 150, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: SMMBT6521LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SMMBT6521LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SMMBT6521LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 100 (mA continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 420, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: BC848CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC848CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC849BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: BC849BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC848CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC849BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC848ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC848BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC848ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: BC848BMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC848BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC848CWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC848CWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC848CDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC848CDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 270, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1.1mm, MPN: BC848CDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC549BTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC548CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC549BTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: BC548BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC548BTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC549CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC549BTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC549BTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC549CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: BC549CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC548BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC548BTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC548CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC548BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 300 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 300 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 7 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: KSC3503DSTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 420, Tension Collecteur Base maximum: -32 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: BCW33LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: -32 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: BCW33LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: -32 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: BCW33LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 350 V, SOT-223, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 350 V, SOT-223, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 70 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: BSP19AT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Gain en courant DC minimum: 600, Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.93mm, Longueur: 2.9mm, MPN: MMBT5962 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: BC850AMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: SBC847CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847CLT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: SBC847CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC850AMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.6 V, MPN: BC847BLT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, MPN: BC847BLT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 0.94mm, MPN: BC850CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: SBC847CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 270, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, MPN: BC847CLT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, MPN: BC850BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, MPN: BCW72LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC850CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 0.94mm, MPN: BCW72LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC850BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847CLT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC850BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC850AMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: BCW72LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847BLT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847CWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847CWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Gain en courant DC minimum: 90, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: BC847AWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847AWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847AWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847CDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC847CDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 270, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1.1mm, MPN: BC847CDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.8 x 0.9 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: BC847BTT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.8 x 0.9 x 0.9mm, MPN: BC847BTT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.8 x 0.9 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: BC847BTT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm, Hauteur: 5.33mm, MPN: BC547BTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC547BTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC550CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC550CBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC547CBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC547ATA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC550CBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: BC547BBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC547BTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC547CTFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC547CBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC550CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

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onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC547B Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.6 V, MPN: BC547CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: 150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC547CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.6 V, MPN: BC547B Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: BC547B Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC547CTFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC547BTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC547ATA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-59, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-59, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN2214T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-59, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-59, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 100 (mA continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Gain en courant DC minimum: 80, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1.2mm, Longueur: 3.1mm, MPN: MUN2214T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-59, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-59, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 338 mW, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN2214T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5233T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5211T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 100 (mA continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Gain en courant DC minimum: 35, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Longueur: 2.2mm, MPN: MUN5211T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5211T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 100 (mA continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Gain en courant DC minimum: 80, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Longueur: 2.2mm, MPN: MUN5233T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5233T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMUN2235LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 100 (mA continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Gain en courant DC minimum: 80, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Longueur: 3.04mm, MPN: MMUN2235LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMUN2235LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, 300 mW, Gain en courant DC minimum: 250, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT2484LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBT2484LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBT2484LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: SBC846BWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: SBC846BWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: SBC846BWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC846BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, MPN: BC846ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 0.94mm, MPN: BC846ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC846ALT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: BC846ALT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC846ALT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC846BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 1.0mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC846BLT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, MPN: BC846BLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 1.0mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC846BLT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 1.0mm, Hauteur: 1mm, MPN: BC846BLT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC846BWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC846BWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: BC846BWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 265 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC846BM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 265 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, MPN: BC846BM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 265 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC846BM3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC546BTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC546CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC546BTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC546ABU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC546ATA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC546CTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: 150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: BC546BTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.6 V, MPN: BC546ATA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.6 V, MPN: BC546BTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 600 mV, MPN: BC546ABU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 65 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: BC546BTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Gain en courant DC minimum: 15, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Courant de base: 5A, MPN: TIP35CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Gain en courant DC minimum: 15, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Courant de base: 5A, MPN: TIP35CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 100 V c.c., SOT-93, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 25 A (continu), 40 A (crête), Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Type de montage: Traversant, Gain en courant DC minimum: 15, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., Courant de coupure Collecteur maximum: 1mA, Courant de base: 5A, MPN: TIP35CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 9.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJP13009H2TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 10.36 x 4.9 x 16.07mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJPF13009H1TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 9.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJP13009H2TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJP13009TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJP13009TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 10.36 x 4.9 x 16.07mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJPF13009H1TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 130 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJA13009TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 130 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJA13009TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 12 A, 400 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 130 W, Gain en courant DC minimum: 6, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Longueur: 15.8mm, MPN: FJA13009TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 1200 mA (crête), 800 mA (continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 50, Tension Collecteur Base maximum: 75 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: BCW66GLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,7 V c.c., MPN: BCW66GLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 1200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 1200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,7 V c.c., MPN: BCW66GLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 120 V, TO-204, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 120 V, TO-204, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Tension Collecteur Base maximum: 200 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15015G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 120 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 120 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Tension Collecteur Base maximum: 200 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15015G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 140 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 140 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15001G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 140 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 140 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15001G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 230 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJL3281AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 230 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 26.4mm, MPN: MJL3281AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Gain en courant DC minimum: 12, Tension Collecteur Base maximum: 230 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Hauteur: 26.4mm, MPN: MJL3281AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 250 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJW3281G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Gain en courant DC minimum: 75, Tension Collecteur Base maximum: 250 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, MPN: NJW0281G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 250 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJW3281G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 250 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJW0281G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 250 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJW0281G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 250 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Gain en courant DC minimum: 45, Tension Collecteur Base maximum: 250 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, MPN: NJW3281G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 350 V, TO-3PBL, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 350 V, TO-3PBL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: MJL4281AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 350 V, TO-3PBL, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 350 V, TO-3PBL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 26.4mm, MPN: MJL4281AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 350 V, TO-3PBL, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 350 V, TO-3PBL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Gain en courant DC minimum: 10, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 35 MHz, Dimensions: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Hauteur: 26.4mm, MPN: MJL4281AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 70 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 KHZ, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: 2N6487G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 70 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 KHZ, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6487G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 70 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 KHZ, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6487G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., SOT-93, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP3055G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., To-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., To-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP3055G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., To-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V c.c., To-247, 3 broches, Type de boîtier: SOT-93, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, MPN: TIP3055G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-204, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-204, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 115 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3055AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 115 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2,5 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3055G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 115 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2,5 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Hauteur: 8.51mm, MPN: 2N3055G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 115 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3055AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 115 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2,5 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3055G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 23 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC6082-1E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 23 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC6082-1E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 60 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 23 W, Gain en courant DC minimum: 50, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, MPN: 2SC6082-1E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,8 W, Tension Collecteur Base maximum: 90 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 5 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6488G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 83 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,8 V, MPN: D44VH10G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,8 W, Tension Collecteur Base maximum: 90 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 5 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6488G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 80 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 83 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,8 V, MPN: D44VH10G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 260 mW, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5658M3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 260 mW, Gain en courant DC minimum: 120, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, MPN: 2SC5658M3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, SOT-723, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 260 mW, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5658M3T5G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: KSC1815YTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSC945YBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: KSC1815YTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Gain en courant DC minimum: 25, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: KSC1815YTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSC945YTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC945YBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC945YTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC945YTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC945YBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Gain en courant DC minimum: 60, Tension Collecteur Base maximum: 15 V, Tension Emetteur Base maximum: 2 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 16 GHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, MPN: NSVF4020SG4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Tension Collecteur Base maximum: 15 V, Tension Emetteur Base maximum: 2 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 16 GHz, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSVF4020SG4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Tension Collecteur Base maximum: 15 V, Tension Emetteur Base maximum: 2 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 GHz, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MCH4020-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Tension Collecteur Base maximum: 15 V, Tension Emetteur Base maximum: 2 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 GHz, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MCH4020-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Gain en courant DC minimum: 60, Tension Collecteur Base maximum: 15 V, Tension Emetteur Base maximum: 2 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 GHz, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, MPN: MCH4020-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 150 mA, 8 V, MCPH, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Tension Collecteur Base maximum: 15 V, Tension Emetteur Base maximum: 2 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 16 GHz, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSVF4020SG4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 140 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 140 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 160 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3773G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 140 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 140 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 160 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3773G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 140 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 140 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 160 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3773G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 160 V, SOT-93, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 160 V, SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.2 x 15.2 x 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3,5 V, MPN: MJE4343G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 160 V, SOT-93, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 160 V, SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.2 x 15.2 x 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3,5 V, MPN: MJE4343G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 350 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15022G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 350 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15022G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJW21194G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJW21194G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJW21196G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJW21196G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Gain en courant DC minimum: 8, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJW21196G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Gain en courant DC minimum: 8, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJW21194G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ21194G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15024G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ21194G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-204, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15024G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-264, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-264, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Gain en courant DC minimum: 8, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 20.3 x 5.3 x 26.4mm, MPN: MJL21196G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-264, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-264, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 20.3 x 5.3 x 26.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJL21196G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-264, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-264, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 20.3 x 5.3 x 26.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJL21196G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-3BPL, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-3BPL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 20.3 x 5.3 x 29mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJL21194G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-3BPL, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-3BPL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 20.3 x 5.3 x 29mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJL21194G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-3BPL, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-3BPL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Gain en courant DC minimum: 8, Tension Collecteur Base maximum: 400 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 20.3 x 5.3 x 29mm, MPN: MJL21194G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJW21194G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-3P, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 250 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJW21194G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 80 V c.c., DPAK, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 80 V c.c., DPAK, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: NJVMJD44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 80 V c.c., DPAK, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 80 V c.c., DPAK, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: NJVMJD44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 80 V c.c., DPAK, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 80 V c.c., DPAK, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 16 (Pic) A, 8 (Continu) A, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, MPN: NJVMJD44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 17 A, 250 V, TO-264, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 17 A, 250 V, TO-264, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Gain en courant DC minimum: 55, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 20 x 5 x 26mm, MPN: 2SC5200OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 17 A, 250 V, TO-264, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 17 A, 250 V, TO-264, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 20 x 5 x 26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5200OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 17 A, 250 V, TO-264, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 17 A, 250 V, TO-264, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 20 x 5 x 26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5200OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 17 A, 250 V, TO-264, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 17 A, 250 V, TO-264, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 20 x 5 x 26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FJL4315OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 17 A, 250 V, TO-264, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 17 A, 250 V, TO-264, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 20 x 5 x 26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FJL4315OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SC3647T-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: 2SC3647T-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 140 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: NSS1C201MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 140 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,18 V c.c., MPN: NSS1C201MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 140 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,18 V c.c., MPN: NSS1C201MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 390 MHz, Dimensions: 6.5 x 2.3 x 5.5mm, MPN: 2SC4135S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 390 MHz, Dimensions: 6.5 x 2.3 x 5.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: 2SC4135S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 100 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 390 MHz, Dimensions: 6.5 x 2.3 x 5.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: 2SC4135S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 115 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 115 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 15.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD239CTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 115 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 115 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 15.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD239CTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 8mm, MPN: KSC2328AYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC2328AYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC2328AYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 460 mW, Gain en courant DC minimum: 180, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: NSS40201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 460 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,115 V, MPN: NSS40201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 460 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,115 V, MPN: NSS40201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: BUX85G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: BUX85G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: NJD2873T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: NJD2873T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 0,1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: NJVNJD2873T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 0,1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: NJVNJD2873T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: NJD2873T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 0,1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: NJVNJD2873T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 300 mV, MPN: 2SC5994-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 300 mV, MPN: 2SC5994-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,5 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SC5994-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: 2SD1623S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SD1623S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: 2SD1623S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Gain en courant DC minimum: 250, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 75 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.92 x 1.4 x 0.94mm, MPN: FSB560A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 75 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.92 x 1.4 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,35 V, MPN: FSB560 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 75 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.92 x 1.4 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: FSB560A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 75 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.92 x 1.4 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: FSB560A Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 75 MHz, Dimensions: 2.92 x 1.4 x 0.94mm, MPN: FSB560 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 75 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.92 x 1.4 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,35 V, MPN: FSB560 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 1200 V, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.39mm, MPN: KSC5502DTM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 1200 V, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.39mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: KSC5502DTM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 2 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 1200 V, Tension Emetteur Base maximum: 12 Mo, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.39mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: KSC5502DTM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 140 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 140 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 2 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15003G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 50 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 50 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 kHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3772G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 50 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 50 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 kHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3772G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 80 V c.c., D2PAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 80 V c.c., D2PAK, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJB44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 80 V c.c., D2PAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 80 V c.c., D2PAK, 3 + Tab broches, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A (continu), 20 A (crête), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, MPN: MJB44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 80 V c.c., D2PAK, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 80 V c.c., D2PAK, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJB44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 90 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 90 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Tension Collecteur Base maximum: 180 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Longueur: 10.28mm, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 2 V c.c., MPN: BUV26G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 90 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 90 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 140 W, Tension Collecteur Base maximum: 150 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 5 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, MPN: 2N5038G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 90 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 A, 90 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 140 W, Tension Collecteur Base maximum: 150 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 5 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2,5 V, MPN: 2N5038G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 mA, 20 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 mA, 20 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.97mm, MPN: KSC2223YMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 mA, 20 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 mA, 20 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.97mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC2223YMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 20 mA, 20 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 20 mA, 20 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.97mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC2223YMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, Longueur: 2.9mm, MPN: MMBT2369LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 200 mA (continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT2369ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBT2369LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: MMBT2369ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBT2369LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: MMBT2369ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SC-70, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 200 mA (continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Gain en courant DC minimum: 30, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: MMBT3904WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: MMBT3904WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: MMBT3904WT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 30, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: PZT3904T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: PZT3904T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: PZT3904T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 30, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: SMMBT3904LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: MMBT3904LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: SMMBT3904LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: SMMBT3904LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: MMBT3904LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: MMBT3904TT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Gain en courant DC minimum: 30, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, MPN: MMBT3904TT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-416 (SC-75), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: MMBT3904TT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-523 (SC-89), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-523 (SC-89), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.7 x 0.98 x 0.78mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: MMBT3904T Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-923F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-923F, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 227 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.85 x 0.65 x 0.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: MMBT3904SL Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-923F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-923F, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 227 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 0.85 x 0.65 x 0.38mm, MPN: MMBT3904SL Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-923F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, SOT-923F, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 227 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.85 x 0.65 x 0.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: MMBT3904SL Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: 2N3904TAR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: 2N3904TFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: 2N3904TAR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: 2N3904BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: 2N3904BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 30, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: 2N3904TAR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 30, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: 2N3904TFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 30, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: 2N3904TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: 2N3904TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 55 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: MMBT6429LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 55 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: MMBT6429LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 500, Tension Collecteur Base maximum: 55 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT6429LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V c.c., MPN: MMBT6428LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V c.c., MPN: MMBT6428LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 250, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: MMBT6428LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 260 V, TO-264, 5 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 260 V, TO-264, 5 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 20.01 x 5.18 x 26.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJL3281DG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 260 V, TO-264, 5 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 260 V, TO-264, 5 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 15 A (continu), 25 A (crête), Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Gain en courant DC minimum: 45, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 20.01 x 5.18 x 26.11mm, MPN: NJL3281DG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 260 V, TO-264, 5 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 260 V, TO-264, 5 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 20.01 x 5.18 x 26.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJL3281DG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 60 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 60 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N5885G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 60 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 60 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N5885G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 80 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 80 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N5886G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 80 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 25 A, 80 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N5886G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 10 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 10 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Gain en courant DC minimum: 140, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SD1620-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 10 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 10 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SD1620-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 10 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 10 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SD1620-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 14.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD241CTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, IPAK (TO-251), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, IPAK (TO-251), 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,2 V c.c., MPN: MJD31C1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 490 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 7 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 140 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: NSS1C201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 490 mW, Tension Collecteur Base maximum: 7 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 140 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,15 V, MPN: NSS1C201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 490 mW, Tension Collecteur Base maximum: 7 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 140 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,15 V, MPN: NSS1C201LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 3 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 9.28mm, MPN: TIP31CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 3 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP31CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TO-220FP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TO-220FP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 28 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJF31CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TO-220FP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TO-220FP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 28 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJF31CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TP-FA, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TP-FA, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 400 mV, MPN: 2SD1815S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TP-FA, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TP-FA, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Gain en courant DC minimum: 140, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, MPN: 2SD1815S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TP-FA, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 100 V, TP-FA, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 400 mV, MPN: 2SD1815S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 25 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 25 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 35 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 300 V, MPN: FZT649 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 25 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 25 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 35 V, Nombre de broche: 3 + 1 (Tab), Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, Longueur: 6.7mm, MPN: FZT649 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 25 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 25 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 35 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 300 V, MPN: FZT649 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 30 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 30 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 10 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 8.3 x 3.45 x 11.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: KSD882YSTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP31G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 0,1 MHz, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,7 V, MPN: MJE180STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 KHZ, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD31T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 KHZ, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD31T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Gain en courant DC minimum: 10, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 KHZ, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD31T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: NJT4031NT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: NJT4031NT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: NJT4031NT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 050 V, Tension Emetteur Base maximum: 14 V, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.39mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: FJD5553TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 050 V, Tension Emetteur Base maximum: 14 V, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.39mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: FJD5553TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Gain en courant DC minimum: 10, Tension Collecteur Base maximum: 1 050 V, Tension Emetteur Base maximum: 14 V, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.39mm, Longueur: 6.73mm, MPN: FJD5553TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 290 mV, MPN: 2SC5964-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: 2SD1624S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,5 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SC5964-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 290 mV, MPN: 2SC5964-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SD1624S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: 2SD1624S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 35, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SD1624T-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: 2SD1624T-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: 2SD1624T-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 mV, MPN: 2SD1802T-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Gain en courant DC minimum: 35, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, MPN: 2SD1802T-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 50 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 mV, MPN: 2SD1802T-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 1 A (continu), 3 A (crête), Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Gain en courant DC minimum: 10, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: 2N4922G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N4922G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N4922G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 0,1 MHz, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,7 V, MPN: MJE181STU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 14.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSD880YTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP31AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP31AG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 60 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.16 x 2.54 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSD2012GTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP31BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 80 V, TO-225AA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 80 V, TO-225AA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,7 V, MPN: MJE182G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 80 V, TO-225AA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 80 V, TO-225AA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,7 V, MPN: MJE182G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 80 V, TO-225AA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 80 V, TO-225AA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: MJE182G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 800 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 800 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 1100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 18.95mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2 V, MPN: KSC5027OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 800 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 800 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Collecteur Base maximum: 1100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 18.95mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2 V, MPN: KSC5027OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 800 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 800 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 1100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 15 MHz, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2 V, MPN: FJPF5027OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 800 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 800 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 1100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 15 MHz, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, MPN: FJPF5027OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 800 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 3 A, 800 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 1100 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 15 MHz, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2 V, MPN: FJPF5027OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V c.c., TO-204AA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V c.c., TO-204AA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ21196G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V c.c., TO-204AA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V c.c., TO-204AA, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 16 A (continu), 30 A (crête), Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Gain en courant DC minimum: 8, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ21196G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V c.c., TO-204AA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V c.c., TO-204AA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 400 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ21196G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V, TO-218, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V, TO-218, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 200 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., MPN: MJH11020G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V, TO-218, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V, TO-218, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 200 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 4 V c.c., MPN: MJH11020G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V, TO-218, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 250 V, TO-218, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 15 A (continu), 30 A (crête), Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 200 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, MPN: MJH11020G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 40 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 40 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 kHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3771G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 40 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 40 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 kHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N3771G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 450 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 450 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 000 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJW18020G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 450 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 450 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 000 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2 V c.c., MPN: MJW18020G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 450 V, A-247, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 450 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 000 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 2 V c.c., MPN: MJW18020G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 90 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 90 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,8 V, MPN: MJ802G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 90 V, TO-204AA, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 A, 90 V, TO-204AA, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,8 V, MPN: MJ802G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches, Type de montage: CMS, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Tension Emetteur Base maximum: 1,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1,5 GHz, Dimensions: 1.4 x 0.8 x 0.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSVF5490SKT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches, Type de montage: CMS, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Tension Emetteur Base maximum: 1,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1,5 GHz, Dimensions: 1.4 x 0.8 x 0.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSVF5490SKT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 30 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 30 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 90, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Tension Emetteur Base maximum: 1,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1,5 GHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 1.4 x 0.8 x 0.58mm, MPN: NSVF5490SKT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: FJT44KTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Longueur: 6.5mm, MPN: FJT44KTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: FJT44KTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm, Hauteur: 5.33mm, Longueur: 5.2mm, MPN: KSP44TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: KSP44TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: KSP44TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: KSP44TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: KSP44TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 300 mA, 400 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: KSP44TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V c.c., MPN: MJD243T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Gain en courant DC minimum: 15, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD243T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V c.c., MPN: MJD243T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, MPN: MJE243G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: MJE243G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 7.74 x 2.66 x 11.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: MJE243G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 180 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 400 mV, MPN: 2SD1816S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 180 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, MPN: 2SD1816S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 180 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 400 mV, MPN: 2SD1816T-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 100 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 120 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 180 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 400 mV, MPN: 2SD1816S-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 350 V, DPAK, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 350 V, DPAK, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Tension Collecteur Base maximum: 780 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 12 Mo, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: BUD42DT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: FJP3305H1TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: FJP3305H2TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: FJP3305H1TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: FJP3305H2TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Gain en courant DC minimum: 8, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.39mm, Longueur: 6.73mm, MPN: FJD5304DTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 12 V, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.39mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, MPN: FJD5304DTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 12 Mo, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.39mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, MPN: FJD5304DTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: FJPF3305H1TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 400 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: FJPF3305H1TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD437G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD437G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Gain en courant DC minimum: 30, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: BD437G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N5191G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: 2N5191G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N5191G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Gain en courant DC minimum: 20, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: 2N5192G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE802G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N5192G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE802G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: MJE802G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N5192G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.16 x 2.54 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSD1408YTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: MMBTH10LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 120, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTH10LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 4 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: MMBTH10LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 40 A, 100 V c.c., TO-204AA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 40 A, 100 V c.c., TO-204AA, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 20 A (continu), 40 A (crête), Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: 2N6284G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 40 A, 100 V c.c., TO-204AA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 40 A, 100 V c.c., TO-204AA, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N6284G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 400 mA, 50 V, SSFP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 400 mA, 50 V, SSFP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Gain en courant DC minimum: 300, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 1.4 x 0.8 x 0.6mm, MPN: 50C02SS-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 400 mA, 50 V, SSFP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 400 mA, 50 V, SSFP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 1.4 x 0.8 x 0.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 100 mV, MPN: 50C02SS-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 400 mA, 50 V, SSFP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 400 mA, 50 V, SSFP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 1.4 x 0.8 x 0.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 100 mV, MPN: 50C02SS-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, NMP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, NMP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 6.9 x 2.5 x 4.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 500 mV, MPN: 2SC4482T-AN Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, NMP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, NMP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 6.9 x 2.5 x 4.5mm, MPN: 2SC4482T-AN Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, NMP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, NMP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 6.9 x 2.5 x 4.5mm, MPN: 2SC4482U-AN Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, NMP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, NMP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 6.9 x 2.5 x 4.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 500 mV, MPN: 2SC4482U-AN Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 500 mV, MPN: 2SD1628G-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 95, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SD1628G-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 500 mV, MPN: 2SD1628G-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSD5041RTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Gain en courant DC minimum: 150, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSD5041RTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 20 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSD5041RTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 25 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 25 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,8 V c.c., MPN: MJD200G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 40 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 40 V c.c., A-220, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 3 (continu) A, 5 (crête) A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Gain en courant DC minimum: 10, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP31G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 40 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 40 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP31G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 050 V, Tension Emetteur Base maximum: 14 V, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, MPN: FJP5555TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Gain en courant DC minimum: 10, Tension Collecteur Base maximum: 1 050 V, Tension Emetteur Base maximum: 14 V, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Longueur: 10.67mm, MPN: FJP5555TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 75 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 050 V, Tension Emetteur Base maximum: 14 V, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, MPN: FJP5555TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Gain en courant DC minimum: 20, Tension Collecteur Base maximum: 1 050 V, Tension Emetteur Base maximum: 14 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.83mm, MPN: FJB5555TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 050 V, Tension Emetteur Base maximum: 14 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, MPN: FJB5555TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 050 V, Tension Emetteur Base maximum: 14 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, MPN: FJB5555TM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 13 MHz, Dimensions: 9.24 x 10.63 x 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: MJF18004G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 13 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: MJE18004G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 13 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: MJE18004G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 1000 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, MPN: BUT11AFTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 000 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, MPN: BUT11AFTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, TO-220FP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 450 V, TO-220FP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 13 MHz, Dimensions: 9.24 x 10.63 x 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: MJF18004G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 180 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 400 mV, MPN: 2SD1803T-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 180 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 400 mV, MPN: 2SD1803T-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Gain en courant DC minimum: 35, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 180 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, MPN: 2SD1803T-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 240 mV, MPN: 2SC5706-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 240 mV, MPN: 2SC5706-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 50 V, TP-FA, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, MPN: 2SC5706-TL-H Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 500 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 500 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 800 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 15 MHz, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: FJPF5021OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 500 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 500 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 800 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 15 MHz, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: FJPF5021OTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 60 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 60 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: KSD1691YSTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 60 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 60 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: KSD1691GSTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 60 V, A-126, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 60 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: KSD1691GSTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 3 (continu) A, 5 (crête) A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Gain en courant DC minimum: 10, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: TIP31BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 80 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 5 A, 80 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP31BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 A, 80 V, TO-204, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 A, 80 V, TO-204, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 38.86 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N5686G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 A, 80 V, TO-204, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 A, 80 V, TO-204, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 38.86 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: 2N5686G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Tension Emetteur Base maximum: 2,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: MMBT5179 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Tension Emetteur Base maximum: 2,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: MMBT5179 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 12 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Tension Emetteur Base maximum: 2,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: MMBT5179 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 110 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 1.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FJV1845FMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 150, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 110 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 1.04mm, MPN: FJV1845FMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 110 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 1.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FJV1845FMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 110 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC1845FTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 110 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC1845FTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 120 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Gain en courant DC minimum: 150, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 110 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSC1845FTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V c.c., MPN: MMBT918LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V c.c., MPN: MMBT918LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 20, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT918LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 25 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 25 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSP10BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 25 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 25 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 60, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSP10BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 25 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 25 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSP10BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 25 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: MMBT5089LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 25 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: MMBT5089LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: MMBT5088LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 300, Tension Collecteur Base maximum: 25 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: MMBT5089LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, 300 mW, Gain en courant DC minimum: 450, Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT5088LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: MMBT5088LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 300 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 300 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 1.57mm, MPN: PZTA42T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 300 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 50 mA, 300 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 25, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Hauteur: 1.57mm, MPN: PZTA42T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 200 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 200 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: KSP43BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 200 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 200 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: KSP43BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 200 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 200 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSP43BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: MMBTH10LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 60, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: MMBTH10LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: NSVMMBTH10LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, MPN: BC818-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: MMBTH10LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC818-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC818-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 120, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: NSVMMBTH10LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V c.c., MPN: NSVMMBTH10LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 300 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD340G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 300 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 10 MHz, Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD340G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,56 W, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD340T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,56 W, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD340T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: MMBTA42LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: MMBTA42LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 25, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, MPN: MMBTA42LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE340G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 11.04mm, Longueur: 7.74mm, MPN: MJE340G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-225, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Hauteur: 11.04mm, Longueur: 7.74mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE340G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MPSA42 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSP42TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.5 V, MPN: KSP42TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: MPSA42 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MPSA42 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 300 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: KSP42TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.3 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCX19LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V c.c., SOT-23, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 500 (mA continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.3 x 1.01mm, MPN: BCX19LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V c.c., SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.3 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCX19LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC817-25LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, MPN: BC817-16LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, MPN: BC817-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 0.94mm, MPN: BC817-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC817-25LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 330 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: BCW71 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Gain en courant DC minimum: 110, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 330 MHz, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, MPN: BCW71 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 250, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: BC817-40LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC817-40LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 0.94mm, MPN: BC817-16LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 330 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2.92 x 1.3 x 0.93mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: BCW71 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, MPN: BC817-25LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,7 V, MPN: SBC817-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 250, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: SBC817-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC817-16LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC817-25LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC817-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,7 V, MPN: SBC817-40LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC817-40LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 50 V, CPH, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 50 V, CPH, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 100 mV, MPN: 50C02CH-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 50 V, CPH, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 50 V, CPH, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 100 mV, MPN: 50C02CH-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 50 V, CPH, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 50 V, CPH, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Gain en courant DC minimum: 300, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, MPN: 50C02CH-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: MMBTA05LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: MMBTA05LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: MMBTA05LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: MMBTA05LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: MMBTA05LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: MMBTA05LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: MPSA05RA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MPSA05RA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MPSA05RA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, MPN: PZTA06 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PZTA06 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PZTA06 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: MMBTA06LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: SMMBTA06LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: SMMBTA06LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: SMMBTA06LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: MMBT8099LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: MMBTA06LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBTA06LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMBTA06LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: MMBT8099LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 75, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT8099LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: MMBTA06LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, MPN: MMBTA06LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MPSA06RA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: MPSA06RA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 500 mA, 80 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 4 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MPSA06RA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD243CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD243CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.29 x 11.05 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJVMJB41CT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.29 x 11.05 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJVMJB41CT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Gain en courant DC minimum: 15, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.29 x 11.05 x 4.83mm, MPN: NJVMJB41CT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJB41CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.29 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJB41CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP41CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 100 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP41CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: NSV60601MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: NSS60601MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Gain en courant DC minimum: 50, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Nombre de broche: 3+Tab, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: NSV60601MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: NSV60601MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Gain en courant DC minimum: 50, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, MPN: NSS60601MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: NSS60601MZ4T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 750 V, TO-3PF, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 750 V, TO-3PF, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 550 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.5 x 5.5 x 14.5mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: FJAFS1510ATU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 750 V, TO-3PF, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 750 V, TO-3PF, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Tension Collecteur Base maximum: 1 550 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.5 x 5.5 x 14.5mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: FJAFS1510ATU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 750 V, TO-3PF, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 750 V, TO-3PF, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Gain en courant DC minimum: 15, Tension Collecteur Base maximum: 1 550 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.5 x 5.5 x 14.5mm, MPN: FJAFS1510ATU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 80 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 80 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Collecteur Base maximum: 80 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP41BG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 60 A, 80 V, TO-204, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 60 A, 80 V, TO-204, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 38.86 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: MJ14002G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 60 A, 80 V, TO-204, 2 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 60 A, 80 V, TO-204, 2 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 38.86 x 26.67 x 8.51mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: MJ14002G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 140 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 140 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 160 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: MMBT5550LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 140 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 140 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 20, Tension Collecteur Base maximum: 160 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Longueur: 3.04mm, MPN: MMBT5550LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 140 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 140 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 160 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: MMBT5550LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 140 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 140 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 160 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: 2N5550TFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 140 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 140 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 160 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: 2N5550TFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,2 V c.c., MPN: MMBT5551LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: SMMBT5551LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: SMMBT5551LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V c.c., MPN: SMMBT5551LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,2 V c.c., MPN: MMBT5551LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,2 V, MPN: MMBT5551LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Hauteur: 0.94mm, Longueur: 2.9mm, MPN: MMBT5551LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 30, Tension Collecteur Base maximum: 180 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Longueur: 3.04mm, MPN: MMBT5551LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,20 V, MPN: 2N5551TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,20 V, MPN: 2N5551TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,20 V, MPN: 2N5551BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,20 V, MPN: 2N5551TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 80, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: 2N5551BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,20 V, MPN: 2N5551BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 160 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,20 V, MPN: 2N5551TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V c.c., MPN: MMBT2222LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V c.c., MPN: MMBT2222ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 600 mA (continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 35, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT2222ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V c.c., MPN: MMBT2222ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,6 V c.c., MPN: MMBT2222LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: MMBT2222LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: PN2222TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PN2222TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 30 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: PN2222TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: MMBT2222AWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SC-70, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: MMBT2222AWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SC-70, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SC-70, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 600 mA (continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Gain en courant DC minimum: 35, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: MMBT2222AWT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 35, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Hauteur: 1.57mm, MPN: PZT2222AT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Dimensions: 1.57 x 6.5 x 3.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 1.57mm, MPN: PZT2222AT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V c.c., MPN: MMBT4401LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: MMBT4401LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: MMBT2222ALT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: SMMBT2222ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V c.c., MPN: SMMBT4401LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V c.c., MPN: MMBT4401LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: MMBT2222ALT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 20, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: MMBT4401LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: MMBT4401LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V c.c., MPN: SMMBT4401LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 20, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: SMMBT4401LT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: SMMBT2222ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT2222ALT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: SMMBT2222ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: 2N4401BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: KSP2222ATA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: 2N4401TAR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 20, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Longueur: 5.2mm, MPN: 2N4401TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 20, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Longueur: 5.2mm, MPN: 2N4401BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: KSP2222ABU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: KSP2222ATA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: 150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: 2N4401TAR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: 2N4401TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.75 V, MPN: 2N4401BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.75 V, MPN: 2N4401TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 20, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, MPN: 2N4401TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 250 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,75 V, MPN: 2N4401TF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 600 mA, 40 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: KSP2222ABU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 100 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 100 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 150 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 18.95mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: KSC2334YTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 100 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 100 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 150 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 9.9 x 4.5 x 18.95mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: KSC2334YTU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 30 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 30 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6288G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 30 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 30 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6288G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 330 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 240 mV, MPN: 2SC5569-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,5 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 330 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SC5569-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 50 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 50 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 3,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 330 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 240 mV, MPN: 2SC5569-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 70 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 7 A, 70 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6292G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 70 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 70 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches, Type de montage: CMS, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 GHz, Dimensions: 1.4 x 0.8 x 0.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSVF5501SKT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 70 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 70 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 GHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 1.4 x 0.8 x 0.58mm, MPN: NSVF5501SKT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 70 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 70 mA, 10 V, SOT-623, 3 broches, Type de montage: CMS, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Tension Emetteur Base maximum: 3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 GHz, Dimensions: 1.4 x 0.8 x 0.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSVF5501SKT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 15 V, MCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 15 V, MCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 330 MHz, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 300 mV, MPN: 15C01M-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 15 V, MCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 15 V, MCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 330 MHz, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 300 mV, MPN: 15C01M-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 15 V, MCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 15 V, MCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 330 MHz, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, MPN: 15C01M-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 160 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 160 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Gain en courant DC minimum: 90, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SC3648S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 160 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 160 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: 2SC3648S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 160 V, PCP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 160 V, PCP, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Tension Collecteur Base maximum: 180 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 120 MHz, Dimensions: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: 2SC3648S-TD-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: KSC1008YBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.7 x 3.93 x 4.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: KSC1008CYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.7 x 3.93 x 4.7mm, MPN: KSC1008CYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: KSC1008YBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: KSC1008YBU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 700 mA, 60 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 8 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 4.7 x 3.93 x 4.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,4 V, MPN: KSC1008CYTA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 120 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 120 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE15028G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 120 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 120 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE15028G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 150 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 150 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 9.24 x 10.63 x 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJF15030G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 150 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 150 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE15030G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 150 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 150 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE15030G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 150 V, TO-220FP, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 150 V, TO-220FP, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 9.24 x 10.63 x 4.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJF15030G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 250 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 250 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Gain en courant DC minimum: 10, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Hauteur: 9.28mm, MPN: MJE15032G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 250 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 250 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 9.28mm, MPN: MJE15032G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 250 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 250 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE15032G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 350 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 350 V c.c., A-220, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 4 A (continu), 8 A (crête), Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Gain en courant DC minimum: 10, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, MPN: MJE15034G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 350 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 350 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE15034G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 350 V c.c., A-220, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 350 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJE15034G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJB3307DTM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.83mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJB3307DTM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.67 x 9.65 x 4.83mm, MPN: FJB3307DTM Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: MJE13007G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: MJE13007G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJPF13007H2TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, TO-220F, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 400 V, TO-220F, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, MPN: FJPF13007H2TU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,8 V c.c., MPN: MJE18008G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,8 V c.c., MPN: MJE18008G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 50 V, TP-FA, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 50 V, TP-FA, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, MPN: 2SC5707-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 50 V, TP-FA, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 50 V, TP-FA, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 240 mV, MPN: 2SC5707-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 50 V, TP-FA, 4 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 50 V, TP-FA, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.5 x 5.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 240 mV, MPN: 2SC5707-TL-E Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: NJVMJD44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,75 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 85 MHz, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 2.38mm, Longueur: 6.73mm, MPN: MJD44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,75 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 85 MHz, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 2.38mm, Longueur: 6.73mm, MPN: MJD44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: NJVMJD44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Collecteur Base maximum: 10 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: NJVMJD44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,75 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 85 MHz, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Hauteur: 2.38mm, Longueur: 6.73mm, MPN: MJD44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,75 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 85 MHz, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: MJD44H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 8 A, 80 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,75 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 85 MHz, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: MJD44H11T4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.97mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC3265YMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.97mm, MPN: KSC3265YMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 30 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.97mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: KSC3265YMTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: BCW65CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 35, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, MPN: BCW65ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, MPN: BCW65CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: BCW65CLT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCW65ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 32 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCW65ALT1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.93 x 2.92 x 1.3mm, Hauteur: 0.93mm, MPN: BSR14 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.93 x 2.92 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: BSR14 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Tension Collecteur Base maximum: 75 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 300 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 0.93 x 2.92 x 1.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V, MPN: BSR14 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 310 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.97mm, MPN: BC81716MTF Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33740TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33716BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 170, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm, Hauteur: 5.33mm, Longueur: 5.2mm, MPN: BC33740TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33740TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33716BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33725TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33725TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 10 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33716TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 10 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33725TFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 10 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33725TAR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 10 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: BC33716TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 10 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33725TFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 10 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: BC33725TFR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33725BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33725BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 60, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: BC33725BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33740BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Collecteur Base maximum: 10 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33716TA Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 10 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 50 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: BC33725TAR Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Gain en courant DC minimum: 60, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, MPN: BC33740BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 800 mA, 50 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC33740BU Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 900 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 900 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT3904LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 900 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 900 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: MMBT3904LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN Simple, 900 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches onsemi Transistor, NPN Simple, 900 mA, 40 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V c.c., MPN: MMBT3904LT3G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: SBC847BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: SBC847BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,6 V, MPN: SBC847BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5233DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5233DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Courant continu de Collecteur maximum: 100 (mA continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 80, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Longueur: 2.2mm, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: MUN5233DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: SBC846BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: SBC846BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: SBC846BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor, NPN, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 3 A, Dissipation de puissance maximum: 1,56 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 3 MHz, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Hauteur: 2.38mm, MPN: MJD31CT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor, NPN, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,2 V, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Dissipation de puissance maximum: 1,56 W, Hauteur: 2.38mm, MPN: MJD31CT4G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor, NPN, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,2 V, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Dissipation de puissance maximum: 1,56 W, MPN: MJD31CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor, NPN, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches onsemi Transistor, NPN, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,2 V, Dimensions: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Dissipation de puissance maximum: 1,56 W, MPN: MJD31CG Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors Darlington onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 30 V, SOT-563, 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 30 V, SOT-563, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 661 mW, Tension Collecteur Base maximum: -30 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,6 V, MPN: NST30010MXV6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 30 V, SOT-563, 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 30 V, SOT-563, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 661 mW, Tension Collecteur Base maximum: -30 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,6 V, MPN: NST30010MXV6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 30 V, SOT-563, 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 30 V, SOT-563, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 661 mW, Gain en courant DC minimum: 270, Tension Collecteur Base maximum: -30 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, MPN: NST30010MXV6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 220, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Hauteur: 0.9mm, MPN: BC857BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,65 V, MPN: BC857BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.65 V, MPN: BC857BDW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -650 mV, MPN: NST65010MW6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 220, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: NST65010MW6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -650 mV, MPN: NST65010MW6T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 20 A, 80 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, PNP Isolé, 20 A, 80 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: MJF45H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 20 A, 80 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, PNP Isolé, 20 A, 80 V, A-220, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 10 A (continu), 20 A (crête), Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Gain en courant DC minimum: 40, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, Longueur: 10.63mm, MPN: MJF45H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 20 A, 80 V, A-220, 3 broches onsemi Transistor, PNP Isolé, 20 A, 80 V, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1 V c.c., MPN: MJF45H11G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Tension Collecteur Base maximum: -40 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 200 MHz, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,4 V, MPN: FMB3906 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Tension Collecteur Base maximum: -40 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 200 MHz, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,4 V, MPN: FMB3906 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: -40 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 200 MHz, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, MPN: FMB3906 Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: -40 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 KHZ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,4 V, MPN: MBT3906DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: -40 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 KHZ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,4 V, MPN: MBT3906DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Gain en courant DC minimum: 30, Tension Collecteur Base maximum: -40 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 KHZ, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MBT3906DW1T1G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi

onsemi Transistor, PNP Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual onsemi Transistor, PNP Isolé, 3 A, 40 V, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 783 mW, Tension Collecteur Base maximum: -40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: -7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,17 V, MPN: NSS40300MDR2G Composants électroniques & énergie et connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires onsemi